[发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法有效
| 申请号： | 201010609570.2 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543824A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽隔离制作方法，提供具有硅衬底的晶片，所述硅衬底表面依次具有二氧化硅层和氮化硅层；在晶片器件面光刻后，以光刻图案为掩膜依次刻蚀所述氮化硅层、二氧化硅层和硅衬底形成浅沟槽后，其特征在于，该方法还包括：
所述浅沟槽表面生长柔性氧化层；
对所述柔性氧化层第一掺杂硼元素，在所述柔性氧化层中靠近硅衬底的界面处形成第一阻挡层，所述第一阻挡层中的硼离子浓度大于P阱中硼离子浓度1～2个数量级；
对所述柔性氧化层第二掺杂氮元素，在所述柔性氧化层中形成第二阻挡层，所述第二阻挡层位于第一阻挡层上方；
晶片器件面沉积二氧化硅，填充所述浅沟槽；
化学机械研磨去除部分所述二氧化硅，露出氮化硅层后，晶片退火在所述浅沟槽中形成浅沟槽隔离。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂是等离子体注入，所述第一掺杂的浓度范围是1.0E14原子/平方厘米到2.0E15原子/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掺杂是等离子体注入或双重等离子体氮注入，所述第二掺杂的浓度范围是1.0E14原子/平方厘米到2.0E15原子/平方厘米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性氧化层的厚度范围是4纳米到40纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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