[发明专利]元件搭载用基板、半导体模块及便携式设备无效

专利信息
申请号: 201010610834.6 申请日: 2010-11-01
公开(公告)号: CN102142416A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 长松正幸;柴田清司;林崇纪 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/522;H01L25/00;H01L21/60;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 元件 搭载 用基板 半导体 模块 便携式 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种用于搭载半导体元件的元件搭载用基板、半导体模块及便携式设备。

背景技术

近年来,随着电子设备的小型化和高性能化,谋求使电子设备所使用的半导体装置进一步小型化、高密度化。为了满足这样的需求,已知在封装上搭载封装的称之为层叠封装(Package on Package,PoP)的三维封装技术等半导体模块层叠技术。

在层叠半导体模块时,采用使用焊球等接合部件将设置在下侧半导体模块的基板上的电极焊盘和设置在上侧半导体模块的背面上的电极焊盘连接的方法。作为使用焊球的连接结构,已知在平坦的电极焊盘上连接焊球的结构以及在有高度差的电极焊盘上连接焊球的结构。此外,已知在电极焊盘和焊接掩模(绝缘层)之间具有间隙的NSMD(Non Solder Mask Defined,非阻焊层限定)型的电极结构。

在平坦的电极焊盘(电极部)上搭载焊球等接合部件的结构中,存在承受横向施加的力的接合强度弱的问题,另外,在电极焊盘上设置有高度差的结构中,存在应力集中于电极焊盘角部,并且在焊球和电极焊盘之间容易产生裂缝的问题。

在已有的NSMD型电极结构中,连接在电极焊盘上的引出线露出,当应力施加在引出线上时,存在引出线容易断开的问题。

发明内容

鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种能够提高在元件搭载用基板中与焊料等接合部件连接的可靠性的技术。

本发明的一实施方式为元件搭载用基板。该元件搭载用基板具有:基体材料、设置在基体材料的一个主表面上且具有开口部的第一绝缘膜、设置在开口部中且凸状的顶部比第一绝缘膜的上表面还向上突出的电极部,以及从电极部的顶部离开而在电极部的顶部的周围设置于第一绝缘膜上的第二绝缘膜,该元件搭载用基板的特征在于,电极部的顶部的形状由曲面或曲面及与该曲面平滑地连接的平面形成。

根据该一实施方式,由于电极部的顶部没有应力容易集中的角部,因此,在将焊球等接合部件与电极部接合的情况下,应力难以集中在电极部的顶部。其结果,当在电极部上接合接合部件时,能够提高电极部和接合部件的连接可靠性。

上述一实施方式的电极部的顶部的形状也可以是半球状。此外,电极部的顶部的形状也可以是具有平坦的最上部的拱顶状。电极部的顶部的最上部可以比第二绝缘膜的上表面低。此外,电极部的顶部的最上部也可以比第二绝缘膜的上表面高。上述一实施方式的元件搭载用基板可以使用于具有层叠封装结构的半导体装置。

本发明的其他实施方式为半导体模块。该半导体模块的特征在于,具有上述任意实施方式的元件搭载用基板及搭载在基体材料的一个主表面侧的半导体元件。

本发明的又一个实施方式为便携式设备。该便携式设备的特征在于,安装有上述实施方式的半导体模块。

本发明的又一个其他实施方式为元件搭载用基板。该元件搭载用基板的特征在于,具有:基体材料、设置在基体材料的一个主表面上的配线层、以覆盖配线层的方式设置且具有使配线层的引出区域露出的开口部的第一绝缘层、设置在开口部中且与配线层电连接的引出部、在开口部的上方比第一绝缘层的上表面还向上突出且与引出部电连接的电极部,以及从电极部离开而在电极部的周围设置于第一绝缘层上的第二绝缘层。

根据该实施方式,在电极部的下部,能够经由引出部与配线层电连接,并且,由于引出部不露出,因此,能够抑制引出部的断线,提高与焊料等接合部件的连接可靠性。

在上述实施方式的元件搭载用基板中,可以使电极部的直径大于开口部的直径,并且使电极部的周边缘下部与第一绝缘层的上表面相接。此外,可以将电极部用作外部连接端子。此外,第一绝缘层可以具有使配线层的电极区域露出的其他开口部,电极区域可以被用作搭载在基体材料的一个主表面侧的电子零件用的连接端子。此外,上述实施方式的元件搭载用基板可以被用于具有层叠封装结构的半导体装置。

本发明的其他实施方式为半导体模块。该半导体模块的特征在于,具有上述实施方式的元件搭载用基板及搭载在基体材料的一个主表面侧的半导体元件。

本发明的其他实施方式为便携式设备。该便携式设备的特征在于,安装有上述实施方式的半导体模块。

附图说明

图1为示出实施方式1的半导体装置的结构的示意剖面图;

图2为示出实施方式1的半导体装置具有的第一电极部及其周围的结构的部分放大图;

图3(A)~图3(D)为示出实施方式1的半导体装置的制造方法的工序剖面图;

图4(A)~图4(D)为示出实施方式1的半导体装置的制造方法的工序剖面图;

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