[发明专利]偏移量的生成方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种偏移量的生成方法和装置。

背景技术

目前，常用的晶硅太阳能电池制造设备为PECVD设备。PECVD设备多为线型(In-line)的硬件结构形式，该线型PECVD设备通过采用在线型镀膜(In-line PECVD)技术以达到高效率、高产量的目的。图1为一种线型PECVD设备的结构示意图，如图1所示，该线型PECVD设备包括：预热腔1、工艺腔2、冷却腔3、装片台7和卸片台8和载板传输装置9。其中，各腔室之间通过门阀G1、门阀G2、门阀G3和门阀G4连接。工艺腔2通过阀门6与连接有真空泵(pump)。线型PECVD设备的工作流程是：将晶片4放置于载板5上；将载板5搬运到预热腔1中，具体地，可以通过轮子或机械手等自动装置(图中未示出)将载板5搬运到预热腔1中；预热腔1对载板5进行预热处理，以加热载板5和晶片4；将载板5搬运到工艺腔2中，对载板5上的晶片4进行镀膜处理。镀膜处理完成后将载板5搬运到冷却腔3中进行冷却处理，然后将载板5搬运到卸片台8上，将工艺处理完成的晶片4从载板5上取走。载板5通过载板传输装置9返回装片台7。在载板5到达装片台7或者卸片台8上后，会有自动装卸载装置对载板5上的晶片4进行装卸动作，将完成镀膜的晶片4从载板5上卸下，并将未镀膜的晶片4摆放到载板5上。图1中的x1至x9为载板运行过程。

由于载板传输装置的误差、载板本身的不一致性以及载板经过加热后可能导致的变形，载板每次到达装片台或者卸片台的位置可能会有所偏移。载板的偏移量可包括：整体偏移量和横向偏移量，其中整体偏移量包括顶点偏移量和整体旋转角度。顶点偏移量为载板顶点(一般取载板的左上角)的实际传输位置与预定传输位置的偏移量。横向偏移量是由于载板热变形导致的同一行相邻两个晶片摆放位置的距离偏移量。获得载板的偏移量后，可根据该偏移量得出每一个晶片的摆放位置。具体地，可通过在载板上设定的特征点得出载板的偏移量。在装片台的预定位置或者卸片台的预定位置，预先设定特征点的标准位置。在对晶片的工艺处理流程中，若载板未发生偏移，则当载板到达装片台的预定位置或者卸片台的预定位置时，特征点的实际位置和特征点的标准位置是重合的。但是在对晶片的工艺处理流程中，由于载板传输装置的误差、载板本身的不一致性和载板经过加热后导致的变形，使载板会发生偏移。图2为一种载板上设定特征点的示意图，如图2所示，在载板5的特定位置设定第一特征点和第二特征点，第一特征点和第二特征点为平行的特征点，其中第一特征点与晶片摆放位置A的相对位置固定，第二特征点与晶片摆放位置B的相对位置固定。当载板5到达装片位置或者卸片位置后，通过摄像头获取载板5的第一特征点的实际位置和第二特征点的实际位置，根据第一特征点的实际位置、第二特征点的实际位置、第一特征点的标准位置和第二特征点的标准位置，得出载板的偏移量。根据偏移量得出每一个晶片的摆放位置。上述方法能够得到的偏移量包括：顶点偏移量、整体旋转角度和行距离偏移量。

上述方法可通过顶点偏移量和整体旋转角度得出载板位置的整体偏移情况，并通过行距离偏移量得出载板由于热变形导致的横向偏移情况。载板热变形不仅会导致晶片的摆放位置产生横向偏移，而且也会导致晶片的摆放位置产生纵向偏移量，该纵向偏移量为相邻两行晶片的摆放位置的距离偏移量。载板上相邻两行晶片的摆放位置间的距离是固定不变的，随着载板上摆放晶片行数的增加，纵向偏移量的累加会导致晶片在载板上实际摆放位置与预定摆放位置偏移过大。但是，由于背景技术中的方法无法得出纵向偏移量，因此在载板上摆放晶片时仅能根据顶点偏移量、整体旋转角度和行距离偏移量在载板上摆放晶片，没有考虑到纵向偏移量对晶片摆放位置的影响，这会导致晶片在载板上实际摆放位置与预定摆放位置偏移过大，从而导致晶片在载板上的实际摆放位置不正确。当装载有晶片的载板进入工艺腔并由工艺腔对晶片进行镀膜处理时，由于晶片在载板上的实际摆放位置不正确，而工艺腔是按照晶片的标准摆放位置对晶片进行镀膜的，这会导致晶片的镀膜效果降低。

发明内容

本发明提供一种偏移量的生成方法和装置，用以使晶片在载板上实际摆放位置与预定摆放位置的偏移减小，从而提高晶片的镀膜效果。

为实现上述目的，本发明提供了一种偏移量的生成方法，包括：

根据第一实际位置和第一标准位置，生成顶点偏移量，所述第一实际位置为第一特征点的实际位置，所述第一标准位置为第一特征点的标准位置；

根据所述第一实际位置、第二实际位置、所述第一标准位置和第二标准位置，生成整体偏转角度，所述第二实际位置为第二特征点的实际位置，所述第二标准位置为第二特征点的标准位置；