[发明专利]一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器

权利要求书

1.一种TFT探测基板，包括：基板，所述基板上设有栅线层，所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极，所述栅线层的上方设有数据线层，所述数据线层中包括数据线，TFT源极和TFT漏极，所述TFT漏极与所述数据线相连接，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有光电二极管，所述TFT漏极与光电二极管相连接，其特征在于，

所述栅线层由依次沉积的铝钕金属层和钼金属层所形成；

所述数据线层由钼金属层所形成。

2.根据权利要求1所述的TFT探测基板，其特征在于，形成所述栅线层的铝钕金属层的厚度为2000至4000埃，形成所述栅线层的钼金属层的厚度为400至800埃，形成所述数据线层的钼金属层的厚度为2000至4000埃。

3.根据权利要求1所述的TFT探测基板，其特征在于，所述数据线层上设置有刻蚀保护层，所述刻蚀保护层上设置有过孔，所述光电二极管通过所述过孔与所述TFT源极相连接。

4.根据权利要求3所述的TFT探测基板，其特征在于，所述刻蚀保护层为氮氧化物层。

5.根据权利要求4所述的TFT探测基板，其特征在于，所述刻蚀保护层的厚度为200至1000埃。

6.根据权利要求3所述的TFT探测基板，所述光电二极管的横向宽度大于所述过孔的宽度。

7.根据权利要求1所述的TFT探测基板，所述光电二极管上设置有透明导电层，所述透明导电层的上方设置有树脂层，所述树脂层上设置有导电金属层，所述树脂层上设置有过孔，所述导电金属层通过所述过孔与所述透明导电层相连接。

8.一种X射线探测器，包括X射线源和探测装置，其特征在于，所述检测装置包括权利要求1至权利要求7任一项所述的TFT探测基板。

9.一种TFT探测基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次沉积铝钕金属层和钼金属层，通过构图工艺，形成栅线层，所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极；

在形成有栅线层的基板上沉积钼金属层，通过构图工艺，形成数据线层，所述数据线层中包括数据线，TFT漏极和TFT源极。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有栅线层的基板上沉积钼金属层，通过构图工艺，形成数据线层后，所述方法还包括：

在形成有数据线层的基板上沉积刻蚀保护薄膜，通过构图工艺，形成刻蚀保护层，刻蚀保护层上设置有与所述TFT源极相连接的过孔；

在形成有刻蚀保护层的基板上沉积光电二极管薄膜；

通过构图工艺，形成光电二极管，所述光电二极管穿过所述过孔与所述TFT源极相连接。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有刻蚀保护层的基板上沉积光电二极管薄膜后，所述通过构图工艺，形成光电二极管前，所述方法还包括：

在形成有光电二极管薄膜的基板上，沉积透明导电薄膜，通过构图工艺，形成透明导电层；

所述通过构图工艺，形成光电二极管后，所述方法还包括：

在形成有光电二极管的基板上，沉积树脂薄膜，通过构图工艺，形成树脂层；

在形成有树脂层的基板上，沉积导电金属薄膜，通过构图工艺，形成导电金属层，所述导电金属层与所述透明导电层相连接。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有光电二极管的基板上，沉积树脂薄膜，通过构图工艺，形成树脂层后，所述在形成有树脂层的基板上，沉积导电金属薄膜，通过构图工艺，形成导电金属层前，所述方法还包括：

通过构图工艺，在所述树脂层上形成与所述透明导电层相连接的过孔，所述构图工艺包括干法刻蚀或湿法刻蚀。