[发明专利]一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器

说明书

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器。

背景技术

目前，硅基薄膜晶体管(Si TFT，Si Thin Film Transistor)有源寻址技术与非晶硅(a-Si)光电二极管这种光敏感元件结合，发展出大面积二维传感器件，例如TFT探测基板，该探测基板包括TFT和光电二极管，当光信号照射光电二级管时，所感生的光生电荷量将反映光照信息，TFT沟道的关闭和导通来控制该光照信息的储存和读取。这种二维传感器件能以近乎100％的光利用率传递光信息，其具有高传感能力、高灵敏度、高灰度级和快速响应的优点。能对大面积、高信息容量的图像信息进行数据储存、分析和按需要进行各种处理。该技术已经广泛应用于医疗检测、材料探伤、海关安检等领域。

图1为现有技术中一种TFT探测基板的剖面结构示意图，如图1所示，该TFT探测基板包括：基板，基板上设有栅线层，栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极1，所述栅线层上设有栅绝缘层2，栅绝缘层2上设置有有源层，所述有源层包括非晶硅层3和掺杂非晶硅层4(又称为欧姆接触层)，有源层上设置有数据线层，数据线层中包括数据线、TFT漏极5和TFT源极6，TFT漏极5与数据线相连接，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，像素区域内设有光电二极管7，与TFT源极6相连接，光电二极管7上设置有第一透明导电层9，数据线层上还设置有钝化层8，钝化层8上设置有树脂层10，树脂层10上设置有第二透明导电层11，导电金属层12穿过第二透明导电层11和钝化层8与第一透明导电层相连接，另外，导电金属层12的上方还设置有第二树脂层15。

其中，栅极层由依次沉积的铝钕(AlNd)层、铬(Cr)层和氮化铬(CrNx)层所形成，数据线层由Cr层所形成，这样来讲，在图1所示探测基板的制作过程中，Cr的使用会导致含有Cr⁶⁺的废水及废酸等工艺副产物的排放，而Cr⁶⁺是一种对人体和动植物具有很大危害的金属离子，因此对生物和环境具有潜在威胁，而且，含有Cr⁶⁺的废水及废酸必须经过严格的后续处理过程，成本较高。

发明内容

本发明解决的技术问题是，提供一种TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器，能够对生物和环境进行有效保护，且有效降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种TFT探测基板，包括：

基板，所述基板上设有栅线层，所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极，所述栅线层的上方设有数据线层，所述数据线层中包括数据线，TFT漏极和TFT源极，所述TFT漏极与所述数据线相连接，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有光电二极管，所述TFT源极与光电二极管相连接，其中，

所述栅线层由依次沉积的铝钕(AlNd)金属层和钼(Mo)金属层所形成；

所述数据线层由Mo金属层所形成。

一种X射线探测器，包括X射线源和探测装置，其中，所述检测装置包括本发明实施例提供的TFT探测基板。

一种TFT探测基板的制作方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次沉积铝钕金属层和Mo金属层，通过构图工艺，形成栅线层，所述栅线层中包括栅线和与所述栅线连接的TFT栅极；

在形成有栅线层的基板上沉积Mo金属层，通过构图工艺，形成数据线层，所述数据线层中包括数据线，TFT漏极和TFT源极。

采用上述技术方案后，本发明实施例提供的TFT探测基板及其制作方法、X射线探测器，TFT探测基板的栅线层由AlNd和Mo金属形成，数据线层由Mo金属形成，相对于Cr，Mo是一种温和金属，对人体和动植物危害较小，因此，能够对生物和环境进行有效保护。另外，采用Mo还可以简化制作过程后续的副产物的处理过程，有效降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中一种TFT探测基板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例提供的TFT探测基板的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的TFT探测基板的另一种剖面结构示意图；