[发明专利]被覆件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010612825.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102560370A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;刘咸柱;李聪 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 被覆 及其 制造 方法 | ||
1.一种被覆件，其特征在于：所述被覆件包括基体、依次形成于该基体上的铬渗入层、铬层及铱层，该基体的材质为碳纤维/ZrB2复合材料。
2.如权利要求1所述的被覆件，其特征在于：所述铬层及铱层均通过磁控溅射镀膜法形成。
3.如权利要求2所述的被覆件，其特征在于：所述铬层的厚度为2～3.5μm，所述铱层的厚度为2～3.5μm。
4.如权利要求2所述的被覆件，其特征在于：所述铬渗入层是在所述铬层的形成过程中，铬层与基体界面处的金属铬向基体内扩散而形成。
5.如权利要求4所述的被覆件，其特征在于：所述铬渗入层包括碳纤维、ZrB2陶瓷相、Cr金属相及Cr-C相。
6.一种被覆件的制造方法，包括以下步骤：
提供基体，该基体的材质为碳纤维/ZrB2复合材料；
以铬靶为靶材，于所述基体表面磁控溅射铬层，溅射温度为100～200℃，溅射时间为150～250min；在磁控溅射该铬层的过程中，该铬层与基体界面处的金属铬向基体扩散，于基体与铬层之间形成铬渗入层；
以铱靶为靶材，于所述铬层上磁控溅射形成铱层。
7.如权利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控溅射形成所述铬层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气流量为20～150sccm，施加于基体上的偏压为-100～-300V，铬靶的电源功率为2～5kw。
8.如权利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：磁控溅射形成所述铱层的工艺参数为：以氩气为工作气体，氩气流量为20～150sccm，施加于基体上的偏压为-100～-300V，铱靶的电源功率为2～5kw，镀膜温度为100～200，镀膜时间为150～250min。
9.如权利要求6所述的被覆件的制造方法，其特征在于：所述被覆件的制造方法还包括在进行磁控溅射所述铬层前对所述基体进行超声波清洗及等离子清洗的步骤。
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