[发明专利]MOS器件的制作方法无效
| 申请号： | 201010612984.0 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543743A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 制作方法 | ||
1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面形成硬掩模层；
刻蚀所述硬掩模层以及半导体衬底形成第一凹槽，所述第一凹槽的底面低于半导体衬底的表面，两者之间具有高度差；
在所述第一凹槽底部半导体衬底表面形成栅介质层；
填充所述第一凹槽形成栅电极；
去除所述硬掩模层；
采用热氧化工艺在半导体衬底表面形成薄膜氧化层；
所述薄膜氧化层的底面高于所述栅介质层的底面，或与之平齐。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩模层为氮化硅。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩模层采用化学气相沉积工艺形成，厚度范围为
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蚀所述硬掩模层以及部分半导体衬底形成第一凹槽包括：
在硬掩模层的表面形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩模刻蚀所述硬掩模层，直至露出半导体衬底；
继续刻蚀半导体衬底，刻蚀深度等于所述高度差。
5.如权利要求1或4所述的制作方法，其特征在于，所述高度差为5nm～50nm。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一凹槽的宽度范围为
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一凹槽内形成栅介质层采用热氧化工艺或化学气相沉积工艺。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在第一凹槽内形成栅电极包括：采用化学气相沉积工艺在硬掩模层的表面形成多晶硅层，且所述多晶硅层填满第一凹槽；
采用化学机械研磨工艺减薄所述多晶硅层，直至露出硬掩模层。
9.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩模层采用选择性湿法刻蚀工艺。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述去除硬掩模层采用热磷酸。
11.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜氧化层的厚度范围为5nm～50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
