[发明专利]具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体结构及半导体封装结构，详言之，关于一种具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构。

背景技术

已知邻近通信(Proximity Communication)的技术能克服导电电性连接的限制，其利用电容耦合以提供二芯片之间的通信。此邻近通信技术提供比起传统打线接合及覆晶接合输入/输出焊垫较高的输入/输出焊垫密度(约大于100倍)，而其间隔(输入/输出焊垫边缘的距离)远低于10微米。为了达成邻近通信，位于每一芯片的主动面的这些输入/输出焊垫需非常精确地面对面配置，因此，这些芯片之间能够精准(约低于10微米)的对位为一大挑战。此外，由于不能将这些芯片的这些输入/输出焊垫精准地对位，故这些芯片的这些输入/输出焊垫具有偏移量，造成邻近通信的电容值为变动的，若无法固定连接的电容值，将产生其信号在传递过程的信号质量下降或无法传递信号，故应该尽可能的消除或是减少芯片封装时的对位误差。

因此，有必要提供一种具邻近通信信号输入端的半导体结构及半导体封装结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种具邻近通信信号输入端的半导体结构，包括：数个邻近通信信号输入端，设置于该半导体结构的一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该表面，用以与外部组件电性连接，该第二电极与该第一电极间隔一距离，其间隔可由介电层的厚度来决定，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。由于集成电路的工艺能力远高于封装，故使用集成电路工艺来完成一个准确的电容值，将是一个合理的做法。

本发明另提供一种具邻近通信信号输入端的半导体封装结构，包括：一第一芯片及一第二芯片。该第一芯片具有数个邻近通信信号输入端，设置于该第一芯片的一第一表面，每一邻近通信信号输入端具有一第一电极及一第二电极，该第一电极显露于该第一表面，该第二电极与该第一电极间隔一距离，该第二电极与该第一电极形成一电容，以提供电容耦合的邻近通信。该第二芯片具有数个信号输出端，设置于该第二芯片的一第二表面，这些信号输出端与该第一芯片的这些第一电极电性连接。

本发明的半导体结构及半导体封装结构具有邻近通信的效果，且具邻近通信的信号输入端设置在该半导体结构中，不会有已知技术必须将二芯片的这些输入/输出焊垫精准地对位的问题。并且，由于第一电极及第二电极不会有因对位造成的偏移，故本发明的半导体结构及半导体封装结构的邻近通信的电容值为固定。

附图说明

图1显示本发明具邻近通信信号输入端的半导体结构的示意图；

图2显示设置凸块于本发明的半导体结构的示意图；

图3显示本发明第一实施例具邻近通信信号输入端的半导体封装结构的示意图；

图4显示设置异方性导电胶层于本发明的半导体结构的示意图；

图5显示本发明第二实施例具邻近通信信号输入端的半导体封装结构的示意图。

具体实施方式

参考图1，其显示本发明具邻近通信信号输入端的半导体结构的示意图。本发明具邻近通信信号输入端的半导体结构10包括：一互连结构(Interconnect structure)11、一半导体基材12及数个邻近通信信号输入端13。该半导体基材12较佳为一半导体基板，例如可为块体硅基板(bulk silicon substrate)，或可包括其它半导体材料，例如III、IV、V族组件。在该半导体基材12的上表面可形成有半导体装置，例如晶体管(图未示出)等。该互连结构11设置于该半导体基材12上，并与半导体装置电性连接。这些邻近通信信号输入端13设置于该半导体结构10的该互连结构11内，且设置于该半导体结构10的一第一表面111。

该互连结构11可包括数个金属线路间介电层(inter-metal dielectrics，IMDs)例如介电层112、114、117，数个金属线路(metal lines)例如金属线路113、115以及数个穿孔(vias)例如穿孔18。该互连结构11另包括一保护层(passivation layer)119设置于第一表面111上。