[发明专利]互连结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010613437.4 | 申请日： | 2010-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569170A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3213;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层间介电层，所述金属层间介电层内形成有开口，所述开口中和金属层间介电层上沉积有阻挡层，所述阻挡层上沉积有铜金属，所述铜金属填满开口并覆盖金属层间介电层上的阻挡层；
进行第一阶段化学机械研磨，平坦化所述阻挡层上的铜金属；
用相对于阻挡层对铜的选择比更大的研磨剂进行第二阶段化学机械研磨，去除所述阻挡层上的铜金属，保留金属层间介电层开口内的铜金属；
降低所述半导体衬底的温度；
进行第三阶段化学机械研磨，去除所述金属层间介电层上的阻挡层。
2.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述金属层间介电层的材质为低介电常数材料。
3.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化钽、钽或氮化钽/钽双层结构。
4.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述相对于阻挡层对铜的选择比更大的研磨剂含有H2O2。
5.如权利要求4所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述H2O2在研磨剂中的体积范围为1％至3％。
6.如权利要求4所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述含有H2O2的研磨剂的供给流量为300ml/min。
7.如权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，采用去离子水或苯并三氮唑清洗降低所述半导体衬底的温度。
8.如权利要求7所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述去离子水或苯并三氮唑的温度范围为10～20摄氏度，压强范围为70～100kPa。
9.如权利要求7所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述去离子水或苯并三氮唑的供给流量为100～200ml/min，所述去离子水或苯并三氮唑的清洗时间为10～15秒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010613437.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
