[发明专利]用于隔离的与离散的工艺顺序的整合的方法

权利要求书

1.一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：

在真空下处理包括第一金属层的基板以在所述第一金属层上形成包括位址隔离区域的绝缘层，其中所述处理通过改变所述第一金属层和所述绝缘层之间的尺寸关系而使所述绝缘层相对于所述第一金属层在空间上变化；以及

在真空下处理所述基板以在所述绝缘层上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述绝缘层之间具有变化的尺寸关系以定义多个电绝缘的金属-绝缘体-金属(MIM)结构，其中所述MIM结构组合式变化。

2.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，还包括：处理所述基板以通过由沉积方法所施行的全面性的沉积来形成所述第一金属层，所述沉积方法选自由ALD、PVD和CVD组成的族群中。

3.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，还包括：接收包括所述第一金属层的所述基板。

4.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，还包括：处理所述基板以通过沉积所述第一金属层的位址隔离区域来形成所述第一金属层。

5.根据权利要求4所述的组合式处理基板的方法，其中，沉积所述第一金属层的位址隔离区域包括使用ALD顺序沉积分区。

6.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述绝缘层的位址隔离区域包括使用组合式ALD顺序沉积分区。

7.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述绝缘层的位址隔离区域包括使用组合式PVD连续沉积所述位址隔离区域。

8.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，所述基板被处理成在所述第一金属层、所述绝缘层以及第二金属层之间提供可变的空间定义，从而在所述层的每一个层之间和所述第一层和第三层之间形成电绝缘。

9.根据权利要求8所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述 基板以在所述层之间提供可变的空间定义包括：

使所述绝缘层形成比所述第一金属层小的尺寸；以及

使所述第二金属层形成比所述绝缘层小的尺寸。

10.根据权利要求8所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述基板以在所述层之间提供可变的空间定义包括：

使所述绝缘层形成比所述第一金属层大的尺寸；以及

使所述第二金属层形成比所述绝缘层大的尺寸。

11.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述基板包括形成所述第二金属层的位址隔离区域，所述位址隔离区域彼此电绝缘。

12.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，还包括对所述基板施行热处理。

13.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述基板以在所述绝缘层上形成所述第二金属层、其中所述第二金属层与所述绝缘层之间具有变化的尺寸关系包括：

通过全面性的沉积来沉积所述第二金属层；

蚀刻所述第二金属层以形成所述第二金属层的位址隔离区域，所述第二金属层的位址隔离区域小于所述绝缘层的位址隔离区域。

14.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述基板以形成所述绝缘层包括利用PVD通过掩膜沉积所述绝缘层以形成所述绝缘层的位址隔离区域，其中所述绝缘层的位址隔离区域比所述第一金属层的位址隔离区域的尺寸小；以及其中，处理所述基板以形成所述第二金属层包括利用PVD通过掩膜沉积所述第二金属层以形成所述第二金属层的位址隔离区域，其中所述第二金属层的位址隔离区域比所述绝缘层的位址隔离区域的尺寸小。

15.根据权利要求1所述的组合式处理基板的方法，其中，处理所述基板以形成所述绝缘层包括利用ALD顺序沉积所述绝缘层的四分之一区域以形成所述绝缘层的位址隔离区域，其中所述绝缘层的位址隔离区域比所述第一金属层的位址隔离区域的尺寸小；以及其中，处理所述基 板以形成所述第二金属层包括利用PVD通过掩膜沉积所述第二金属层以形成所述第二金属层的位址隔离区域，其中所述第二金属层的位址隔离区域比所述绝缘层的位址隔离区域的尺寸小。