[发明专利]用于隔离的与离散的工艺顺序的整合的方法

说明书

技术领域

本申请是申请日为2007年7月12日、申请号为CN200780026564.0、发明名称为“用于隔离的与离散的工艺顺序的整合的方法与系统”的专利申请的分案申请。本发明涉及半导体基板的处理方法。

背景技术

随着半导体工艺变得更复杂，对改良的研究变得更难以控制管理。不仅要能够研究不同的材料，而且工艺及工艺顺序可能也需要随着材料改变。为了实施对这些变化评估，必须进行过多的测试及数据评估。目前用于评估材料的梯度变化技术并未针对有效地施行大量所需测试而被最优化。梯度变化技术的一个限制为，其无法配合跨越多个步骤的变化以便结合对材料评估而评估工艺顺序。例如，目前的梯度变化技术缺乏同时评估单一基板上的不同材料的不同工艺与工艺顺序的能力。

因此，需要用于测试工艺、工艺顺序及单一基板上的材料的改进的技术及相关系统。

发明内容

本发明的实施例提供一种半导体基板的处理方法及系统。下列将叙述本发明的数个发明实施例。

在本发明的一方面，提供一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：在真空下处理包括第一金属层的基板以在所述第一金属层上形成包括位址隔离区域的绝缘层，其中所述处理通过改变所述第一金属层和所述绝缘层之间的尺寸关系而使所述绝缘层相对于所述第一金属层在空间上变化；以及在真空下处理所述基板以在所述绝缘层上形成第二金属层，其中所述第二金属层与所述绝缘层之间具有变化的尺寸关系以定义多个电绝缘的金属-绝缘体-金属(MIM)结构，其中所述MIM结构组合式变化。

在本发明的另一方面，提供一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：在集束型设备中接收基板，其中所述集束型设备包括第一组合式处理室和第二组合式处理室；在所述第一组合式处理室中处理所述基板以在所述基板上沉积多个位址隔离区域；以及在所述第二组合式处理室中处理所述基板以沉积相对于所述位址隔离区域在空间上变化的层，从而形成多个个体的组合式变化的装置，其中接收所述基板、在所述第一组合式设备中处理所述基板、以及在所述第二组合式设备中处理所述基板是在未中断真空的情况下施行的。

在本发明的另一方面，提供一种半导体基板的处理系统。此系统包含一主框架，此主框架具有多个模块连接至此主框架。所述模块包含处理模块、储存模块及传输机构。所述处理模块可包含组合式的处理模块及传统的处理模块，如表面备制、热处理、蚀刻及沉积模块。在一实施例中，所述模块中的至少之一储存多个掩膜。该多个掩膜致使跨越一系列工艺及/或另一模块中待处理的基板的多个膜层的空间位置与几何形状的原位变化。应注意：每一工艺毋需形成一膜层，且每一工艺毋需所有区域的空间位置皆重迭。在另一实施例中，该系统包含一处理模块，此处理模块用以在维持受控环境的同时，处理一基板表面的第一层面(first level)的位址隔离区域(site isolated regions)，并改变跨越基板表面上设置于彼此之上的多个层面的特征尺寸。在此实施例中，该受控环境被维持在包围多个处理模块的一框架区域内。