[发明专利]基片镀膜处理系统

权利要求书

1.一种基片镀膜处理系统，其特征在于，包括：

腔体，所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；

加热装置，所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；

闸阀组件，所述闸阀组件包括若干闸阀，所述闸阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；

基片传动装置，所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；

抽真空装置，所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；

膜厚检测仪，所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；

蒸发源，所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；以及

控制器，所述控制器控制所述加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。

2.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述基片镀膜处理系统还包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述蒸发源的上方。

3.根据权利要求1或2所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述蒸发源为温度可控式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机镀膜腔内。

4.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述抽真空装置还连通所述有机镀膜腔和无机镀膜腔。

5.根据权利要求1或4所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述抽真空装置为冷泵。

6.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述基片传动装置为速度可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传动装置包括设置于所述基片输送通道上的传动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动器。

7.根据权利要求1所述的基片镀膜处理系统，其特征在于，所述加热装置位于所述基片输送通道的上方。