[发明专利]基片镀膜处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种镀膜处理系统，尤其涉及一种对有机发光显示器件中基片进行镀膜处理的基片镀膜处理系统。

背景技术

OLED(英文全称为：Organic Light-Emitting Diode，中文名称为：有机发光二极管)由于具备轻薄、省电等特性，因此在数码产品的显示屏上得到了广泛应用，并且具有较大的市场潜力，目前世界上对OLED的应用都聚焦在平板显示器上，因为OLED是唯一在应用上能和TFT-LCD相提并论的技术，且是目前所有显示技术中，唯一可制作大尺寸、高亮度、高分辨率软屏的显示技术，可以做成和纸张一样的厚度。因此，OLED的显示技术是将来的显示技术的发展方向。

其中，在OLED器件的生产过程中，对基片进行镀膜是制造OLED器件必不可少的工序之一，这道工序的好与坏关系到基片镀膜的镀膜质量和基片寿命，从而影响到OLED器件的质量和寿命，因此，选择好的基片镀膜工序是提高OLED器件质量和寿命的重要因素之一。

目前，现有的对OLED器件的基片进行镀膜操作的基片镀膜设备要么只能对基片进行有机蒸镀，要么只能进行无机蒸镀，不能有效地将有机蒸镀和无机蒸镀结合起来以实现OLED器件的基片的有机蒸镀和无机蒸镀过程；同时，现有的基片镀膜设备不能对镀膜中的基片的厚度进行实时的检测，故不能实时监控基片的镀膜厚度，从而影响到基片镀膜厚度的均匀性。

因此，急需一种既能集有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性，又能实时监控基片镀膜厚度以保证基片镀膜厚度均匀性的基片镀膜处理系统。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基片镀膜处理系统，该基片镀膜处理系统一方面能集有机蒸镀和无机蒸镀于一体以提高基片镀膜的连贯性；另一方面能实时监控基片镀膜厚度以保证基片镀膜厚度的均匀性。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：提供一种基片镀膜处理系统，包括腔体、加热装置、闸阀组件、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪、蒸发源及控制器。所述腔体依次包括相互连通的且呈中空结构的初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔，所述初始加热腔连接有进料腔，所述降温腔连接有出料腔，所述进料腔、初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔、降温腔及出料腔形成基片输送通道；所述加热装置分别设置于所述初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔上；所述闸阀组件包括若干闸阀，所述闸阀密封所述初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔及降温腔；所述基片传动装置设置于所述基片输送通道上；所述抽真空装置连通所述初始加热腔和降温腔；所述膜厚检测仪分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔上；所述蒸发源分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述基片输送通道下方；所述控制器控制所述加热装置、闸阀、基片传动装置、抽真空装置、膜厚检测仪和蒸发源。

较佳地，所述基片镀膜处理系统还包括挡板装置，所述挡板装置包括挡板及驱动所述挡板运动的挡板驱动器，所述挡板分别设置于所述有机镀膜腔和无机镀膜腔内并位于所述蒸发源的上方。通过上述的挡板，在基片需要镀膜时打开，使得蒸发源能对基片进行蒸镀，在基片不需要镀膜时进行关闭，从而使得基片的镀膜厚度更加均匀。

较佳地，所述蒸发源为温度可控式蒸发源，所述温度可控式蒸发源包括线性蒸发源和点蒸发源，所述线性蒸发源设置于所述有机镀膜腔内，所述点蒸发源设置于所述无机镀膜腔内。通过上述的线性蒸发源对基片进行有机的蒸镀、点蒸发源对基片进行无机的蒸镀，使得基片的镀膜的质量更高。

较佳地，所述抽真空装置还连通所述有机镀膜腔和无机镀膜腔，使得有机镀膜腔和无机镀膜腔的真空环境的形成更易。

较佳地，所述抽真空装置为冷泵，能为初始加热腔、有机镀膜腔、无机镀膜腔和降温腔提供极高的真空环境，从而为提高基片的镀膜质量提供极其优越的条件。

较佳地，所述基片传动装置为速度可调式基片传动装置，所述速度可调式基片传动装置包括设置于所述基片输送通道上的传动轮组及驱动所述传动轮组旋转的基片驱动器。通过上述的基片传动装置为速度可调式基片传动装置，对基片的传输速度进行调节，并配合膜厚检测仪，从而更好的监控基片的蒸镀厚度。通过由传动轮组及基片驱动器组成的基片传动装置，使得基片传动装置的结构更简单。

较佳地，所述加热装置位于所述基片输送通道的上方，能为初始加热腔、有机镀膜腔及无机镀膜腔提供恒温的工作环境，从而为提高基片镀膜质量提供极其优异的条件。