[发明专利]形成半导体存储器件导线的方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储器件导线的方法，所述方法包括以下步骤：

在基础层之上形成第一多晶硅层；

通过将所述第一多晶硅层图案化来形成第一多晶硅图案；

使用绝缘层填充所述第一多晶硅图案之间的空间；

刻蚀所述第一多晶硅图案的上部以形成凹陷区；

在所述凹陷区的侧壁上形成间隔件；

使用第二多晶硅层填充所述凹陷区以形成第二多晶硅图案；以及

执行硅化工艺以使第二多晶硅图案转化为金属硅化物图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔件包括与所述绝缘层的材料不同的材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述间隔件包括氮化物层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层包括氧化物层。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第二多晶硅层的硅浓度比所述第一多晶硅层的硅浓度更低。

6.如权利要求1所述的方法，包括使用硅气体和掺杂剂气体形成所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层中的每一个。

7.如权利要求6所述的方法，包括在形成所述第二多晶硅层时使用比在形成所述第一多晶硅层时使用的硅气体的量更小的硅气体的量。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化工艺包括以下步骤：

在第二多晶硅层、间隔件和绝缘层的暴露出的表面上形成金属层；

执行第一退火工艺以使金属从所述金属层扩散到所述第二多晶硅层中，从而形成具有第一电阻的金属硅化物层；

在第一退火工艺之后将保持原样的未反应的金属层去除；以及

执行第二退火工艺以使所述具有第一电阻的金属硅化物层转变为具有第二电阻的金属硅化物层。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在执行所述第一退火工艺之前，在所述金属层之上形成覆盖层以防止所述金属层被氧化。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述覆盖层包括TiN。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述具有第一电阻的金属硅化物层包括富镍硅化物，而所述具有第二电阻的金属硅化物层包括单硅化镍。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述第二退火工艺的工艺温度比所述第一退火工艺的工艺温度更高。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述金属层是镍层，所述镍层具有所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的总厚度的0.3倍的厚度。

14.如权利要求8所述的方法，其中所述具有第二电阻的金属硅化物层包括NAND快闪存储器件的字线、源选择线和漏选择线。

15.如权利要求1所述的方法，包括在使用所述第二多晶硅层填充所述凹陷区之后或在执行所述硅化工艺之后将所述间隔件去除。