[发明专利]无基板半导体封装制造用耐热性粘合片

说明书

技术领域

本发明涉及不使用金属制引线框架的无基板半导体封装的制造方法中所使用的芯片临时固定用耐热性粘合片。

背景技术

近年来，在LSI的实装技术中CSP(Chip Size/Scale Package)技术备受关注。在该技术中，WLP(Wafer Level Package)所代表的无基板半导体封装是在小型化和高集成方面特别引人注目的封装形式之一。在WLP的制造方法中，将不使用基板的整齐排列的复数半导体硅晶圆芯片用密封树脂一起密封后，通过切断切分成单个构造物，由此能够高效生产出与以往使用基板的封装相比小型的封装。

在这种WLP的制造方法中，需要将以往固定在基板上的芯片固定在其他支持体上。进而在经过树脂密封成型为单个封装后还需要解除固定，因而需要该支持体并不永久接合而是可再剥离。因此，这种使用粘合片作为芯片的临时固定用支持体的方法备受关注。

例如在专利文献1中记载了具有如下工序的芯片状电子零部件的制造方法，即：在基板上粘贴在处理前具有粘合力而处理后粘合力下降的丙烯酸树脂系的粘合手段的工序；使复数个或复数种半导体芯片的电极面朝下而固定于该粘合手段的上面的工序；在包括所述复数个或复数种的半导体芯片间的所有面上覆盖保护物质的工序；对所述粘合手段实施规定处理从而使所述粘合手段的粘合力降低，将固定有所述半导体芯片的疑似晶圆剥离的工序；在所述复数个或复数种半导体芯片间切断所述保护物质，将各半导体芯片或芯片状电子零部件分离的工序。

此外，在专利文献2中记载了具有如下工序的芯片状电子零部件的制造方法，即：在基板上粘贴在处理前具有粘合力而处理后粘合力下降的丙烯酸树脂系的粘合手段的工序；使复数个或复数种半导体芯片的电极面朝下而固定于该粘合手段的上面的工序；在包括所述复数个或复数种的半导体芯片间的所有面上覆盖保护物质的工序；将所述保护物质从所述电极面的相反侧开始除去直至半导体芯片的所述相反侧的面的工序；对所述粘合手段实施规定处理从而使所述粘合手段的粘合力降低，将固定有所述半导体芯片的疑似晶圆剥离的工序；在所述复数个或复数种半导体芯片间将所述保护物质切断，将各半导体芯片或芯片状电子零部件分离的工序。

根据这些方法芯片可以得到保护，所以在制成单片后的实装操作中芯片也可得到保护，可获得可提高实装密度等的效果。

在专利文献3中记载了虽然是切割·叠晶胶带，但粘合剂层含有环氧树脂和丙烯酸橡胶，将通过切割得到的半导体元件粘接在支持部件上的方法，该方法显然不是无基板半导体装置的方法，在考虑与基板的粘接性等的情况下来选择粘合剂层。

现有技术文献

专利文献1 日本特开2001-308116号公报

专利文献2 日本特开2001-313350号公报

专利文献3 日本特开2008-101183号公报

发明内容

发明要解决的问题

在制造使用引线框架的半导体封装时虽然不产生以下问题，但在使用粘合片作为临时固定用支持体的无基板半导体封装的下述制造方法中，将有可能产生以下问题。

图1表示无基板半导体装置的制造方法，并在下面叙述问题。

半导体装置制造用耐热性粘合片2的一个面上有粘合剂层12，另一个面上有基板固定用粘接剂层13，在该粘合片2上粘贴复数芯片1，进一步将半导体装置制造用耐热性粘合片2固定在基板3上，形成如(a)所示的结构。或者，在基板3上粘贴半导体装置制造用耐热性粘合片2，进一步固定芯片1，形成如(a)所示的结构。

接着，从该(a)所示的结构的芯片1的上面用密封树脂4密封，使复数芯片成为一体，形成如(b)所示的结构。

而且如(c)所示，进一步通过下述方法得到用密封树脂4密封的复数的芯片1，即：使半导体装置制造用耐热性粘合片2和基板3形成一体，将用密封树脂4密封的复数芯片1分离的方法；或者将由用密封树脂4密封的复数芯片1和半导体装置制造用耐热性粘合片2形成的结构从基板3上剥离，进而仅将半导体装置制造用耐热性粘合片2剥离的方法。

在该用密封树脂4密封的复数芯片1的设置有半导体装置制造用耐热性粘合片2的一侧的芯片1的表面露出的一侧，在芯片1表面的所需要的位置形成电极5从而形成(d)所示的结构。

对于该结构，在密封树脂4侧根据需要粘接设有切割环7的切割带8，为了进行切割工序而将被密封树脂4密封的复数芯片1固定。如(e)所示，用切割刀6对其进行切割，最后如(f)所示得到复数芯片被树脂密封的复数无基板封装。