[发明专利]半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法有效
| 申请号： | 201010615165.1 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569088A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制作 方法 | ||
1.一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：
a）提供半导体衬底；
b）在所述半导体衬底的表面形成隧道氧化层；
c）在所述隧道氧化层的表面形成存储节点层；
d）对所述存储节点层进行离子注入；
e）在所述存储节点层的表面形成阻挡氧化层；
f）在所述阻挡氧化层的表面形成栅电极；
g）在所述半导体衬底上形成被浅沟槽隔离的源区和漏区；
h）去除所述源区和所述漏区上的所述栅电极、所述阻挡氧化层、所述存储节点层和所述隧道氧化层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子选自硅离子或锗离子或上述两者的任一组合。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅离子的注入剂量为5e12 cm-2到1e18 cm-2。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述锗离子的注入剂量为5e12 cm-2到1e18 cm-2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储节点层的厚度为4nm到40nm。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储节点层的形成方式为化学气相沉积。
7.一种利用如权利要求1~6任一项所述的方法制成的半导体器件结构，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述衬底至少具有在其上形成并被浅沟槽隔离的源区和漏区；
隧道氧化层，所述隧道氧化层形成在所述半导体衬底中的所述浅沟槽上；
存储节点层，所述存储节点层形成在所述隧道氧化层上；
阻挡氧化层，所述阻挡氧化层形成在所述存储节点层上；
栅电极，所述栅电极形成在所述阻挡氧化层上。
8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，所述存储节点层的厚度为4nm到40nm。
9.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于，所述存储节点层含有硅离子或锗离子或上述两者的任一组合。
10.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于，所述硅离子的注入剂量为5e12 cm-2到1e18 cm-2。
11.根据权利要求9所述的半导体器件结构，其特征在于，所述锗离子的注入剂量为5e12 cm-2到1e18 cm-2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
