[发明专利]一种MVA像素结构和MVA液晶显示装置

权利要求书

1.一种MVA像素结构，设置于一基板上，其特征在于，所述MVA像素结构包括：至少两个透明导电块，所述透明导电块与所述基板之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有第一过孔，所述各透明导电块之间通过所述第一过孔用导电材料进行电连接。

2.根据权利要求1所述的MVA像素结构，其特征在于，所述绝缘层包括栅极绝缘层与钝化层。

3.根据权利要求2所述的MVA像素结构，其特征在于，所述MVA像素结构还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述第一过孔贯通所述钝化层，所述导电材料为源/漏极金属，所述源/漏极金属与所述薄膜晶体管源漏极的材料相同并处于同一层中。

4.根据权利要求3所述的MVA像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的源/漏极通过所述第一过孔与所述透明导电块连接；或者所述薄膜晶体管的源/漏极直接与所述导电材料连接。

5.根据权利要求3所述的MVA像素结构，其特征在于，所述MVA像素结构还包括与所述导电材料交叠产生存储电容的公共电极。

6.根据权利要求5所述的MVA像素结构，其特征在于，相邻所述透明导电块之间的间隙区域生成有存储电容。

7.根据权利要求2所述的MVA像素结构，其特征在于，所述MVA像素结构还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述第一过孔贯通所述钝化层与所述栅极绝缘层，所述导电材料为栅极金属，所述栅极金属与所述薄膜晶体管栅极的材料相同并处于同一层中。

8.根据权利要求7所述的MVA像素结构，其特征在于，所述薄膜晶体管的源/漏极通过所述第一过孔与所述透明导电块连接；或者所述薄膜晶体管的源/漏极通过第二过孔与所述导电材料连接。

9.根据权利要求1所述的MVA像素结构，其特征在于，所述MVA像素结构还包括一设置于彩色滤光片侧的突起，所述突起与所述第一过孔正对设置。

10.一种MVA液晶显示装置，包括根据权利要求1-9中任一项所述的MVA像素结构。