[发明专利]一种MVA像素结构和MVA液晶显示装置

说明书

发明领域

本发明涉及一种MVA像素结构，还涉及一种MVA液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置(LCD)由于其重量轻、体积小、厚度薄的特点，已广泛地被用在各种大中小尺寸的终端显示设备中。目前，市场对于液晶显示装置的性能要求朝着高对比度、高亮度、低色偏、快速响应、宽视野角等特性发展。目前能够实现宽视野角要求的技术主要有三种方式：扭转向列型液晶(TN)配上宽视角膜(WVF)液晶显示装置、共平面切换模式(IPS)液晶显示装置、多畴垂直取向(MVA，multi-domain vertical)液晶显示装置。其中MVA模式液晶显示装置由于在量产性和显示特性等方面的优越性，成为市场上主流的液晶显示装置。

MVA方式的液晶显示装置，当电压关闭、即像素索电极和对直电极(也称作公共电极)之间的电位差是0时，液晶分子相对于基板平面垂直地取向，当电压最大时，相对于基板平面平行地取向。另外，在MVA方式的液晶显示装置中，电压关闭时为黑显示，电压最大时为白显示。

另外，在MVA方式的液晶显示装置中，为了改善视角特性，大多组合了液晶分子的取向分割技术(多畴)。该取向分割技术，是指将液晶层分割为小区域，在每个小区域中改变液晶分子按照电压取向时的倾斜方向的技术。即通过控制使得在某区域中液晶分子向右倾斜，在其他区域中向左倾斜。由此能够使画面整体的光量平均，能够大幅抑制基于视角的颜色变化。前述取向分割技术的原理，是例如当电压关闭时，各小区域边界的液晶分子取向不垂直于基板平面，而是处于向某方向倾斜的状态。

垂直排列(VA)液晶分子在液晶盒中依靠取向膜层的表面铆定能的作用竖直排列于液晶层中。当在其两侧的ITO极板上施加电场后，液晶分子会在电场作用下发生偏转，配合偏光片和背光源的设置而产生了光程差，并可以由此实现显示。MVA模式的主要优点是对比度高，视角广。

目前的MVA显示模式中，按压后的畴分布错位是一个急待解决的问题。这种畴分布错位现象是由于亚稳态畴从黑态到白态的变化产生的。而亚稳态畴是由于边缘场的错乱分布，主要存在于透明导电块(ITO)的连接部分。按压显示不均匀(push mura)可以看作是外力施加后的畴分布错位。这也会引起一定程度上的非公共电极直流残留造成的图象残留(image stick)。目前，通常的MVA像素结构是每个畴的透明导电块是互相连接的。这样就造成了畴分布错位问题。通常的解决方法是采用圆偏光片，这样亚稳态的畴就不会被人眼看到。图1是现有技术的MVA模式像素结构示意图。101是透明导电块(ITO)，其由三个透明导电块(ITO)101a、101b、101c以及三个导电块之间的连接透明导电块104构成；102是彩色滤光片侧的突起(rib)；103是过孔与存储电容区域。三个透明导电块(ITO)101a、101b、101c对应形成三个畴，每个畴之间存在连接的透明导电块(ITO)104，这样就形成了亚稳态畴。当按压时就会形成畴分布错位，最终会造成按压显示不均匀(push mura)和图象残留(image stick)。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，现有技术的MVA像素结构具有亚稳态畴。

本发明的发明思路是，去除现有技术中像素内多个ITO块之间的、与该多个ITO块位于同一层的连接部件；多个ITO块之间在同一层能彼此独立，但通过其下方的绝缘层内的过孔用导电材料进行点连接；这样便消除了现有技术的MVA像素结构的亚稳态畴问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种MVA像素结构，该MVA像素结构设置于一基板上，其包括：至少两个透明导电块，所述透明导电块与所述基板之间设置有绝缘层，所述绝缘层具有第一过孔，所述各透明导电块之间通过所述第一过孔用导电材料进行电连接。

作为一种优选的实施方式，所述绝缘层包括栅极绝缘层与钝化层。所述MVA像素结构还包括作为像素开关的薄膜晶体管，所述第一过孔贯通所述钝化层，所述导电材料为源极金属，所述源极金属与所述薄膜晶体管源极的材料相同并处于同一层中。

对于这一优选实施方式，所述薄膜晶体管的源/漏极可以通过所述第一过孔与所述透明导电块连接；也可以通过另外单独的过孔与所述透明导电块连接；还可以直接与所述导电材料连接。

进一步的，所述MVA像素结构还包括与所述导电材料交叠产生存储电容的公共电极；这样利用导电材料形成存储电容，就可以不用单独制备或者只要制备较小的存储电容就可以了，提高了开口率。相邻所述透明导电块之间的间隙区域也可以用来生成存储电容，进一步提供开口率。