[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201010616264.1 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102543911A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘君恺;刘汉诚;戴明吉;谭瑞敏 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一硅基板，具有相对的一第一表面与一第二表面及多个贯孔；
多个硅纳米线束，分别配置于该些贯孔；
第一线路层，配置于该第一表面并电连接该些硅纳米线束；以及
第二线路层，配置于该第二表面并电连接该些硅纳米线束。
2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括绝缘填充材，其填充于该些贯孔。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些硅纳米线束分别为P型纳米线束或N型纳米线束。
4.如权利要求1所述的半导体装置，还包括至少一穿硅通孔，贯穿该第一硅基板并电连接该第一线路层与该第二线路层。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该穿硅通孔电连接该些硅纳米线束。
6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括至少一集成电路单元与绝缘层，配置于该第一表面，其中该绝缘层覆盖该集成电路单元，该第一线路层配置于该绝缘层上并电连接该集成电路单元。
7.如权利要求1所述的半导体装置，还包括电路板，具有第三线路层，其中该第二线路层电连接该第三线路层。
8.如权利要求7所述的半导体装置，其中该第二线路层经由多个凸块电连接该第三线路层。
9.如权利要求8所述的半导体装置，还包括有机载板，其中该第二线路层依序经由部分该些凸块、该有机载板与其他该些凸块电连接该第三线路层。
10.如权利要求8所述的半导体装置，还包括第二硅基板，其中该第二线路层依序经由部分该些凸块、该第二硅基板与其他该些凸块电连接该第三线路层。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其中该第二硅基板具有至少一穿硅通孔，该第二线路层依序经由部分该些凸块、该穿硅通孔与其他该些凸块电连接该第三线路层。
12.如权利要求10所述的半导体装置，还包括有机载板，其中该第二线路层依序经由部分该些凸块、该第二硅基板、该有机载板与其他该些凸块电连接该第三线路层。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第二硅基板具有至少一穿硅通孔，该第二线路层依序经由部分该些凸块、该穿硅通孔、另一部分该些凸块、该有机载板与其他该些凸块电连接该第三线路层。
14.如权利要求12所述的半导体装置，其中该第二硅基板具有至少一导线，该第二线路层依序经由部分该些凸块、该导线、该有机载板与其他该些凸块电连接该第三线路层。
15.如权利要求1所述的半导体装置，还包括芯片，配置于该第一硅基板的该第一表面，并电连接该第一线路层。
16.如权利要求15所述的半导体装置，还包括散热片，其中该芯片位于该第一硅基板与该散热片之间且具有至少一穿硅通孔，该穿硅通孔热接触该些硅纳米线束与该散热片。
17.如权利要求1所述的半导体装置，还包括散热片，配置于该第一硅基板的该第一表面并热接触该些硅纳米线束。
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