[发明专利]渐逝波激发半导体量子点光纤放大器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010616555.0 申请日: 2010-12-31
公开(公告)号: CN102096272A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 庞拂飞;刘伦刚;邢洁雯;郭海润;王廷云;曾祥龙 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G02F1/39 分类号: G02F1/39;G02B6/02
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 渐逝波 激发 半导体 量子 光纤 放大器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器,包括一个泵浦光源(1)、一个信号光源(2)、一个波分复用器(3)和一个光纤放大器(4),所述泵浦光源(1)和信号光源(2)分别通过光纤连接波分复用器(3)的两个输入端,波分复用器(3)的输出端连接光纤放大器(4)的输入端,其特征在于:所述光纤放大器(4)是一段锥形光纤(5),该锥形光纤(5)表面涂覆一层半导体量子点薄膜层(6),所述的量子点薄膜层(6)材料折射率低于锥形光纤(5)的材料折射率,从而使在锥形光纤(5)中传输的光波能通过渐逝波激发半导体量子点薄膜层(6)释放出光子,实现信号光放大。

2.根据权利要求1所述的渐逝波激发半导体量子点光纤放大器,其特征在于所述的量子点薄膜层(6)为硫化铅PbS掺杂溶胶-凝胶薄膜,其中的硫化铅PbS溶胶为PbS掺杂的二氧化硅溶胶。

3.一种渐逝波激发半导体量子点光纤放大器制备方法,用于制备根据权利要求1所述的渐逝波激发半导体量子点光纤放大器,其特征在于制备工艺特点如下:

A.锥形光纤(5)的制作:对单模光纤进行加热,基于熔融拉锥工艺拉制成锥形光纤;

B.制备的半导体量子点材料:

B-1.采用溶胶-凝胶工艺制备掺有甲基的二氧化硅溶胶,以正硅酸四乙酯和甲基三乙氧基硅烷为前躯体,在酸性环境下进行水解缩聚反应,具体工艺是:将正硅酸四乙酯、甲基三乙氧基硅烷、乙醇、盐酸水溶液混合,其具体配比为正硅酸四乙酯/甲基三乙氧基硅烷/乙醇 =1/4/8,盐酸水溶液浓度为0.04mol/L,利用恒温磁力搅拌器搅拌混合溶液,采用油浴保持反应温度50摄氏度,反应时间24h,反应后得到无色澄清的溶胶;

B-2.在上述制备的二氧化硅溶胶中,利用胶体化学工艺制备PbS量子点,将乙酸铅溶入到甲醇中,滴入乙酸作为催化剂,加入三巯基丙基三甲氧基硅烷硅烷偶联剂作为表面活性剂,具体配比为乙酸铅/甲醇/乙酸/三巯基丙基三甲氧基硅烷= 1:100:3.5:0.5,由此获得铅盐溶液,然后,将该溶液逐步滴加至二氧化硅溶胶中,利用磁力搅拌使其均匀混合;之后,以硫代乙酰胺提供硫源,溶解于甲醇溶剂中,并将其逐步滴加至含有铅离子的二氧化硅溶胶中,其中,铅和硫的摩尔比为1:1;在滴加过程中,可以观察到溶液颜色由浅黄色逐渐变为橙红色、红色、最终变为深红棕色,这说明在二氧化硅溶胶中逐步有PbS生成;

B-3.为了获得粒子均匀分散的量子点掺杂材料,将PbS掺杂的二氧化硅溶胶放入高速离心机中进行离心,离心速度为10000rpm,离心时间15min;

C.制备的半导体量子点材料:制备光纤放大器(4):将步骤A中得到的锥形光纤(5)通过浸渍提拉法使步骤(2)中得到的半导体量子点材料涂覆于锥形光纤(5)的锥形区域表面;

D.制成渐逝波激发半导体量子点光纤放大器:把泵浦光源(1)和信号光源(2)分别通过光纤连接波分复用器(3)的两个输入端,波分复用器(3)的输出端连接光纤放大器(4)的输入端(7),光纤放大器(4)的输出端(8)即光信号放大端。

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