[发明专利]芯片封装体及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片封装体及其制作方法，特别是涉及一种具有遮光层的芯片封装体及其制作方法。

背景技术

在已知的影像感测元件(image sensors)封装体中，影响影像品质的其中一个原因就是光串音效应(crosstalk)，串音效应越严重，影像的失真也越严重。例如入射至非感光区的光偏折进入感光区，或是应入射至邻近影像感测元件封装体的感光区的光因偏折进入感光区中都会造成光串音效应(crosstalk)的问题。另外，入射至感光区的光也可能会反射出影像感测元件封装体而造成漏光的问题，进而使影像感测元件封装体的影像品质恶化。

因此，亟需一种具有新颖结构的芯片封装体及其制造方法。

发明内容

有鉴于此，本发明的实施例提供一种芯片封装体，包括芯片，具有基板及导电垫结构，芯片具有上表面和下表面；上盖层，覆盖芯片的上表面；间隔层，介于上盖层与芯片之间；导电通道，电性连接导电垫结构；以及遮光层，设置于上盖层与间隔层之间，其中遮光层与间隔层具有重叠部分。

本发明的另一实施例提供一种芯片封装体的制造方法，包括下列步骤：提供上盖层及包括至少一芯片的晶片；于该上盖层上形成遮光层图案；通过间隔层粘结该上盖层与包括至少一芯片的晶片上表面，其中该间隔层覆盖设置于该芯片上的至少一导电垫，其中该遮光层图案与该间隔层具有重叠部分；从该晶片的下表面形成导电通道以电性连接该导电垫；以及实施切割步骤，以分离该晶片形成封装后的各该芯片。

附图说明

图1A至图1C显示制作一种根据本发明实施例的光致抗蚀剂层的剖面示意图。

图2A至图2H显示根据本发明实施例的芯片封装体的剖面示意图。

附图标记说明

200～上盖层；202～遮光层图案；

204～间隔层图案；206～粘着材料；

100A～元件区； 100B～周边接垫区；

300～基板；300a～背面；

302～半导体元件；302a～感光区；

303～层间介电层；304～导电垫结构；

306～芯片保护层；306h～开口；

316～空穴；SC～切割道；

300ha、300hb～开口；320～绝缘层；

330a～导电层； 330b～导电层；

340～保护层；350～导电凸块；

d～重叠部分；S～水平间距；

500～芯片封装体。

具体实施方式

以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，做为本发明的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

本发明实施例的芯片封装体是利用晶片级封装(wafer level chip scalepackage，WLCSP)工艺封装各种包含有源元件或无源元件(active or passiveelements)、数字电路或类比电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System；MEMS)、微流体系统(microfluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理传感器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶片级封装(wafer scale package；WSP)工艺对影像感测元件(image sensors)、发光二极管、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力传感器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体芯片进行封装。