[发明专利]半导体沟渠与双沟渠的制造方法及用以隔离元件的结构

权利要求书

1.一种半导体沟渠的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底，该基底具有一周边区及一阵列区；

在该基底上形成一罩幕层，该罩幕层具有曝露该周边区的该基底的一第一开口及曝露该阵列区的该基底的一第二开口；

在该第一开口的侧壁形成一第一间隙壁；

以该罩幕层及该第一间隙壁为罩幕，在该周边区的该基底中形成一凹陷；

在该第二开口的侧壁形成一第二间隙壁，并移除部分该第一间隙壁以曝露出该凹陷的顶角；以及

以该罩幕层、该第一间隙壁及该第二间隙壁为罩幕，移除部分该基底，以在该周边区的该基底中形成一第一沟渠以及在该阵列区的该基底中形成一第二沟渠。

2.根据权利要求1所述的半导体沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的第一开口大于该第二开口。

3.根据权利要求1所述的半导体沟渠的制造方法，其特征在于其中在该第一开口的侧壁形成该第一间隙壁的步骤包括：

在该基底上形成一介电材料层，该介电材料层的厚度大于该第二开口的一半宽度；以及

移除部分该介电材料层，直到曝露出该罩幕层的表面，其中剩余的该介电材料层在该第一开口的侧壁形成该第一间隙壁并填满该第二开口。

4.根据权利要求1所述的半导体沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的第一沟渠具有至少三阶的剖面，且该第二沟渠具有至少二阶的剖面。

5.根据权利要求1所述的半导体沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的第一沟渠的深度为该第二沟渠的深度的2～3倍。

6.一种具有不同深度的双沟渠的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供一基底，该基底具有一第一区及一第二区；

在该基底上形成一罩幕层，该罩幕层具有曝露该第一区的该基底的一第一开口及曝露该第二区的该基底的一第二开口；

在该第一开口的侧壁形成一第一间隙壁并在该第二开口中填满一第一介电层；

以该罩幕层及该第一间隙壁为罩幕，在该第一区的该基底中形成一凹陷；

移除部分该第一介电层，以在该第二开口的侧壁形成一第二间隙壁，并移除部分该第一间隙壁以曝露出该凹陷的顶角；以及

以该罩幕层、该第一间隙壁及该第二间隙壁为罩幕，移除部分该基底，以在该第一区的该基底中形成一第一沟渠以及在该第二区的该基底中形成一第二沟渠。

7.根据权利要求6所述的具有不同深度的双沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的第一开口大于该第二开口。

8.根据权利要求6所述的具有不同深度的双沟渠的制造方法，其特征在于其中在该第一开口的侧壁形成该第一间隙壁并在该第二开口中填满该第一介电层的步骤包括：

在该基底上形成一介电材料层，该介电材料层的厚度大于该第二开口的一半宽度；以及

移除部分该介电材料层，直到曝露出该罩幕层的表面。

9.根据权利要求6所述的具有不同深度的双沟渠的制造方法，其特征在于其中所述的第一沟渠的深度为该第二沟渠的深度的2～3倍。

10.一种用以隔离元件的结构，其特征在于其是配置于具有一周边区及一阵列区的一基底中，包括：

一第一隔离结构，具有至少三阶的剖面且位于该周边区的该基底中。

11.根据权利要求10所述的用以隔离元件的结构，其特征在于更包括一第二隔离结构，位于该阵列区的该基底中，该第二隔离结构具有至少二阶的剖面。

12.根据权利要求11所述的用以隔离元件的结构，其特征在于其中所述的第一隔离结构及该第二隔离结构各自包括一衬层及一介电层。

13.根据权利要求11所述的用以隔离元件的结构，其特征在于其中所述的第一隔离结构的深度为该第二隔离结构的深度的2～3倍。