[发明专利]光刻设备及测量多光斑零位偏差的方法无效
申请号: | 201010619282.5 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102566295A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 魏礼俊;陈飞彪;李志丹;潘炼东 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 测量 光斑 零位 偏差 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路装备制造领域,尤其涉及一种光刻设备以及测量多光斑零位偏差的方法。
背景技术
光刻机是一种应用于集成电路制造的装备,利用该装备包括但不限于:集成电路制造光刻装置、液晶面板光刻装置、光掩模刻印装置、MEMS(微电子机械系统)/MOMS(微光机系统)光刻装置、先进封装光刻装置、印刷电路板光刻装置及印刷电路板加工装置等。
在光刻设备中,为了使投影物镜能将掩模图案清晰地投影到硅片上,需要测量硅片的曝光面是否与投影物镜焦面重合,因而需要使用调焦调平传感器系统测量硅片曝光面的垂向位置。
当调焦调平传感器系统采用多个测量光斑来检测硅片曝光面垂向位置信息时,因每个光斑所通过光路的光学偏差、光路探测通道特性偏差等因素的影响,使得在测量同一高度时各光斑所测得实际测量值之间会有偏差。在实际测量过程中,为了消除该偏差,需测量每个光斑的零位偏差,再利用各自的零位偏差值校准各自的高度测量值。
在现有技术中,对于多个光斑各自的零位偏差测量,通常采用多光斑同时测量某一水平平面的方法。该方法根据各光斑所测得的高度值的差异得出各自的零位偏差值。此测量方法虽然对多光斑零位偏差的测量直接快速,但为了准确测量每个光斑的零位偏差需要被测平面为绝对平面或超平面。然而在实际的工程实践中,绝对平面不存在,即使是超平硅片也有100纳米以上的起伏。也就是说,被测平面的平面度直接影响各光斑零位偏差的精度。
因此,如何在绝对平面或超平面难以获得的情况下准确测量多光斑零位偏差成了现有技术中亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种测量多光斑零位偏差的光刻设备及方法,该光刻装置及测量多光斑零位偏差的方法在使用普通平面的情况下能够准确测量多光斑零位偏差,并且该装置与方法还能消除了被测表面形貌起伏对高度测量的影响。
为实现上述发明目的,本发明公开一种光刻设备,包括:光源,用以提供曝光光束;投影系统,用以将所述位于掩模板上的图形投影在基板上;工件台系统,用以移动所述基板;调焦调平系统,用以测量所述基板的垂向位置和倾向角度;其特征在于,所述光刻设备还包括一反射镜和一激光干涉仪,所述激光干涉仪的光轴与所述反射镜的反射面相垂直,所述反射镜的反射面与所述投影系统的最佳焦平面平行。
更进一步地,该调焦调平系统产生至少两个测量光斑。
更进一步地,所述反射镜的反射面与所述投影系统的最佳焦平面处于同一平面。
本发明同时公开一种测量多光斑零位偏差的方法,包括:利用调焦调平系统,生成并测量硅片上光斑S1在A点相对于所述最佳焦平面的垂向高度值h1,工件台水平移动使光斑S2位于A点,获得S2在A点相对于所述最佳焦平面的垂向高度值h2,以相同的方式完成全部光斑Si在A点相对于所述最佳焦平面的垂向高度值hi,以其中一个光斑Sn的垂向高度测量值hn作为参考高度,其余光斑Sj的垂向高度测量值hj相对该光斑垂向高度测量值之差(hj-hn)即为其余各光斑的零位偏差值,则Sn的零位偏差值为0;其中,所述A点可以是任一光斑所在的测试点。
更近一步地,还包括利用所述调焦调平系统对所述工件台上的硅片进行全局调平。
更近一步地,还包括对激光干涉仪的测校与调整,使得所述反射镜的反射面与所述投影物镜的最佳焦平面相互平行。
更进一步地,所述工件台水平移动时通过一反射镜和一激光干涉仪实现垂向高度不变,所述激光干涉仪的光轴与所述反射镜的反射面相垂直。
更进一步地,所述反射镜的反射面与所述投影系统的最佳焦平面处于同一平面。
更进一步地,该调焦调平系统产生至少两个测量光斑。
与现有技术相比较,本发明所公开的技术方案无需使用超平面,而是采用普通硅片平面作为被测平面。测量多个光斑零位偏差时,需水平运动被测平面且保持其垂向位置不变,每个光斑对被测平面中的同一位置点进行测量。这样既消除了被测表面形貌起伏对高度测量的影响,也避免了因各个测量点反射率不同影响光斑零位偏差的测量。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备有限公司,未经上海微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010619282.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数控机床实时动态监控及故障诊断方法
- 下一篇:活塞环刮油刃高度快速检测仪