[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包含：

至少在表面的一部分上具有错位集中的表面区域的基板，和

在基板表面上形成、并在上表面具有凹部的半导体元件层；

所述半导体元件层包括活性层；

所述凹部在所述表面区域上形成，所述凹部的底面位于比所述活性层更下方。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述半导体元件层具有脊部，

所述凹部形成于从所述脊部离开的位置。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，

所述凹部形成于在所述活性层的宽度方向上从所述脊部离开的位置。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，

所述凹部形成于所述半导体元件层的侧端部。

5.根据权利要求1～4所述的半导体元件，其特征在于，

所述脊部形成为条状，

所述凹部沿所述脊部形成为条状。

6.根据权利要求5所述的半导体元件，其特征在于，

所述凹部具有到达所述基板的深度。

7.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：

在基板的表面上形成在上表面具有凹部的半导体元件层的步骤，其中该基板至少在表面一部分上具有错位集中的表面区域，

所述半导体元件层包含活性层，

所述凹部在所述表面区域上形成，所述凹部的底面位于比所述活性层更下方。

8.根据权利要求7所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

形成所述半导体元件层的步骤包含在从所述凹部离开的位置形成脊部的步骤。

9.根据权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述凹部形成于在所述活性层的宽度方向上从所述脊部离开的位置。

10.根据权利要求9所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述凹部形成于所述半导体元件层的侧端部。

11.根据权利要求7～10所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述脊部形成为条状，

所述凹部沿所述脊部形成为条状。

12.根据权利要求11所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述凹部具有到达所述基板的深度。