[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

本申请是2004年2月6日提出的申请号为200910005133.7的同名申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体元件及其制造方法，尤其是涉及在基板上形成有半导体元件层的半导体元件以及其制造方法。

背景技术

历来众所周知作为在基板上形成有半导体元件层的半导体元件有发光二极管元件或半导体激光元件等。此已在例如特开平11-21479号公报上公开。

在上述特开平11-214798号公报上公开了在氮化物类半导体基板上形成有多个氮化物类半导体层的氮化物类半导体激光元件。具体讲，在上述特开平11-214798号公报上公开的氮化物类半导体激光元件上，在n型GaN基板上顺序形成n型氮化物类半导体层、由氮化物类半导体形成的发光层、以及P型氮化物类半导体层。而且，在P型氮化物类半导体层上形成作为电流通路部的脊(ridge)部的同时，在脊部上形成P侧电极。此外，在n型GaN基板的背面形成n侧电极。

在上述的基板背面上形成电极的半导体元件中，在基板背面存在错位时，在基板背面存在错位的区域因流过电流产生泄漏电流。因此，在上述特开平11-214798号公报中，通过由横方向生长制作n型GaN基板，降低n型GaN基板上存在的错位。作为具体的基板制作方法，首先，在兰宝石基板上预定部分上形成掩模层后，以该掩模层作为选择生长掩模层，在兰宝石基板上横方向生长n型GaN层。此时，n型GaN层在兰宝石基板上未形成掩模层的部分上有选择地纵方向生长之后，逐渐地向横方向生长。这样一来，因为通过向横方向生长n型GaN层，错位向横方向弯曲，所以抑制了错位向纵方向传播。据此，形成使到达上面的错位减少的n型GaN层。其后，通过除去含有位于n型GaN层下方的掩模层的区域(兰宝石基板等)，形成使错位减少的n型GaN基板。

可是，在上述专利文献1的方法中，在未形成向纵方向进行生长的掩模层的区域上，存在所谓形成错位集中部分的不合适情况。从具有这样的错位集中的区域的n型GaN层制作n型GaN基板时，如果在n型GaN基板背面错位集中的区域上形成n侧电极，则发生由于在n型GaN基板背面错位集中的区域上流过电流产生所谓泄漏电流的不合适情况。因为在这种情况下元件在定电流驱动时光输出变得不稳定，所以存在所谓使元件工作稳定化困难的问题点。

发明内容

本发明是为了解决上述这一课题而作的，本发明的一个目的是提供可能使元件工作稳定化的半导体元件。

本发明的另一目的是提供可能使元件工作稳定化的半导体元件制造方法。

为了达到上述目的，本发明的第1情况的半导体元件包含如下部件，即至少在背面的一部分上具有错位集中的背面区域的基板、在基板的表面上形成的半导体元件层、在错位集中的背面区域上形成的绝缘膜、和以与错位集中的背面区域以外的基板的背面区域接触的方式形成的背面侧电极。

在该第1情况的半导体元件中，如上述所示，在基板背面错位集中的区域形成绝缘膜的同时，因为通过以与基板背面错位集中的区域以外的区域接触的方式形成背面侧电极，复盖基板背面错位集中的区域，使其不从绝缘膜露出，所以可以容易地抑制起因于基板背面错位集中的区域流过电流产生的泄漏电流。其结果，因为可以容易地使元件定电流驱动时光输出稳定化，所以可以容易地使半导体元件工作稳定化。此外，因为可以降低错位集中区域流过的电流，所以可以降低从错位集中区域来的不必要的发光。

在上述第1情况的半导体元件中，半导体元件层优选至少在表面的一部分具有错位集中的表面区域，还包含以与错位集中的表面区域以外的半导体元件层的表面的区域接触的方式形成的表面侧电极。根据这种构成，可以抑制因半导体元件层表面错位集中区域内流过电流而产生的泄漏电流。其结果，因为可以使元件定电流驱动时的光输出稳定化，所以即使在半导体元件层表面也存在错位集中的区域，也可以使半导体的工作稳定化。此外，因为可以降低错位集中的区域内流过的电流，所以可以降低来自错位集中区域的不必要的发光。

在上述第1情况的半导体元件中，基板也可以包含氮化物类半导体基板。根据这样的构成，可以抑制在氮化物类半导体基板上泄漏电流的发生。

根据本发明的第2情况的半导体元件，包含如下部件，即：在基板表面上形成的、在至少表面一部分上具有错位集中的表面区域的半导体元件层；在错位集中的表面区域上形成的绝缘膜；以及以与错位集中的表面区域以外的半导体元件层的表面区域接触的方式形成的表面侧电极。