[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

说明书

技术领域

本公开涉及发光器件、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

在物理和化学特性方面，III-V族氮化物半导体已经被广泛地用作诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的发光器件的核心材料。通常，III-V族氮化物半导体包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。

LED是下述半导体器件，其通过使用化合物半导体的特性将电变成红外线或者光以传输/接收信号。并且LED还被用作光源。

使用氮化物半导体材料的LED或LD主要被用于提供光的发光器件。例如，LED或LD被用作诸如蜂窝电话的键区的发光部分、电子标识牌、以及照明装置的各种产品的光源。

发明内容

实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括能够提高光提取效率。

实施例提供实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从发光结构层下面的支撑构件的边缘凸出的突出部。

实施例提供一种发光器件，该发光器件包括从支撑构件的横向表面向内凹陷的凹陷部分。

实施例提供具有发光器件的发光器件封装和照明系统。

根据实施例，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；发光结构层下面的电极层；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部。

根据实施例，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一半导体层、有源层、以及第二半导体层；电极，该电极被电气地连接到第一半导体层；电极层，该电极层在发光结构层下面；以及导电支撑构件，该导电支撑构件在电极层下面，并且包括从其至少一个边缘凸出的突出部和从其至少一个横向表面向内凹陷的凹陷部分。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2至图12是示出图1的发光器件的制造工艺的截面图；

图13是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；

图14是示出具有图1的发光器件的发光器件封装的截面图；

图15是示出根据实施例的显示装置的图；

图16是示出根据实施例的另一显示装置的图；以及

图17是示出根据实施例的照明装置的图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一基板、另一层(或者膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或者“下”时，它能够“直接地”或者“间接地”在另一基板、层(或者膜)、区域、垫、或者图案上，或者还可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述该种层的位置。

出于便于描述和清晰的目的，附图中每层的厚度或者尺寸可以被夸大、省略、或示意性示出。此外，元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。

图1是根据第一实施例的发光器件100的截面图。

参考图1，发光器件100包括：发光结构层135、第一电极171、沟道层140、电极层150、导电支撑构件160、第一突出部201、以及第二突出部203。

发光器件100是包括多个化合物半导体层的半导体发光器件。半导体发光器件包括LED(发光二极管)，并且LED可以包括发射蓝色、红色、或者绿色的光的彩色LED或者UV LED。

发光结构层135包括多个化合物半导体层。例如，发光结构层135包括第一半导体层110、有源层120、以及第二半导体层130。

第一半导体层110可以包括被掺杂有第一导电类型掺杂物的III-V族元素的化合物半导体。例如，第一半导体层110可以包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，第一半导体层110可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个。第一半导体层110是N型半导体，并且第一导电掺杂物包括诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物。第一半导体层110可以具有单层结构或者多层结构。如果第一半导体层110具有多层结构，那么至少一个层可以包括未掺杂的层。