[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；和

多个偏振器，其中沿着第一方向的偏振器和相邻的偏振器之间的距离不同于第二方向上的偏振器和相邻的偏振器之间的距离。

2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述第二导电类型半导体层下面的反射层，并且所述多个偏振器被设置在所述反射层上。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述偏振器中的每一个是圆形的或者基本上是圆形的。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述偏振器中的每一个在第一方向上具有第一长度，和在第二方向上具有第二长度，其中所述第一长度不同于所述第二长度。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述多个偏振器在所述反射层的内部突出。

6.根据权利要求2所述的发光器件，进一步包括欧姆层，所述欧姆层被设置在所述反射层上，并且形成与所述第二导电类型半导体层的欧姆接触。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述多个偏振器与所述欧姆层整体地设置。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述欧姆层包括从Ni、Pt、Cr、Ti、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrO_x、以及RuO_x的组中选择的至少一个。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述欧姆层由金属材料形成，并且具有范围为1nm至30nm的厚度。

10.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述欧姆层由非金属材料形成，并且具有范围为10nm至300nm的厚度。

11.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述反射层和所述第二导电类型半导体层之间的电流阻挡层。

12.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一导电类型半导体层上的未被掺杂的半导体层，其中光子晶体结构被形成在未被掺杂的半导体层处。

13.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述反射层包括金属或合金，所述金属或合金包含从Ag、Al、Pd、以及Pt的组中选择的至少一个。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个偏振器具有与所述反射层的折射率不同的折射率。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个偏振器由氧化物、氮化物、或者氟化物中的任何一个形成。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述多个偏振器包括从ITO、IZO、AZO、MZO、GZO、RuO_x、IrO_x、ZnO、SiO₂、MgF₂、SOG、TiO₂、Al₂O₃、以及Si₃N₄的组中选择的至少一个。

17.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个偏振器由不同于所述反射层的金属材料形成。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其中所述多个偏振器包括从Ti、Ni、Pt、Ir、以及Rh的组中选择的至少一个。

19.一种制造发光器件的方法，包括：

形成第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层；

在所述第二导电类型半导体层上形成欧姆层；

在所述欧姆层上形成多个偏振器，使得沿着第一方向的偏振器和相邻的偏振器之间的距离不同于第二方向上的偏振器和相邻的偏振器之间的距离；

在所述多个偏振器上形成反射层；

在所述反射层上形成第二电极；以及

在所述第一导电类型半导体层上形成第一电极。

20.一种发光器件封装，包括：

封装主体，在所述封装主体上安装有根据权利要求1所述的发光器件；和

电极层，所述电极层电气地连接到所述发光器件。

21.一种照明系统，包括：

基板；和

发光模块，所述发光模块包括被设置在所述基板上的根据权利要求1所述的发光器件。