[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效

专利信息
申请号: 201010621719.9 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102163674A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 金鲜京 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2010年2月18日提交的韩国专利申请No.10-2010-0014440的优先权,在此全部引用以供参考。

技术领域

实施例涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近年来,随着LED的亮度逐渐地增加,将LED作为用于显示器的光源、用于交通工具的光源、以及用于照明系统的光源的使用已经增加。通过使用荧光材料或者通过组合发射三原色的单个LED,可以实现发射白光和具有优秀的效率的LED。

LED的亮度取决于多种条件,诸如有源层的结构、能够有效地将光提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片大小、以及包封LED的成型构件的类型。

发明内容

实施例提供一种具有新颖结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

实施例还提供一种在特定方向上比在其它方向上能够发射更多偏振分量的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

实施例还提供一种具有增强发光效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

在一个实施例中,发光器件包括发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层、以及多个偏振器,其中沿着第一方向的偏振器和相邻的偏振器之间的距离不同于第二方向上的偏振器和相邻的偏振器之间的距离。

在另一实施例中,一种制造发光器件的方法,包括:形成第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电类型半导体层;在第二导电类型半导体层上形成欧姆层;在欧姆层上形成多个偏振器,使得沿着第一方向的偏振器和相邻的偏振器之间的距离不同于第二方向上的偏振器和相邻的偏振器之间的距离;在多个偏振器上形成反射层;在反射层上形成第二电极;以及在第一导电类型半导体层上形成第一电极。

在又一实施例中,发光器件封装包括封装主体,在该封装主体上安装有发光器件;和电极层,该电极层电气地连接到发光器件。

在又一实施例中,照明系统包括基板;和包括设置在基板上的发光器件的发光模块。

附图说明

图1是示出在垂直于有源层和反射层振动的偶极子源中随着有源层和反射层之间的间隙距离变化的阻尼率的曲线图。

图2是示出在对有源层和反射层水平地振动的偶极子源中随着有源层和反射层之间的间隙距离变化的阻尼率的曲线图。

图3是根据第一实施例的发光器件的截面图。

图4是根据第一实施例的修改示例的发光器件的截面图。

图5是根据第二实施例的发光器件的截面图。

图6是根据第三实施例的发光器件的截面图。

图7是根据第四实施例的发光器件的截面图。

图8至图10是示例性示出根据实施例的发光器件中的偏振诱导图案(polarization inducing pattern)的平面图。

图11至图16是示出制造根据第一实施例的发光器件的方法的截面图。

图17是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。

图18是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图。

图19是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元。

具体实施方式

在下面的描述中,将理解的是,当层(或膜)被称为在另一层或者衬底“上”时,它能够直接地在另一层或者衬底上,或者也可以存在中间层。此外,将会理解的是,当层被称为在另一层“下”时,它能够直接地在另一层下,并且也可以存在一个或者多个中间层。此外,也将会理解的是,当层被称为是在两个层“之间”时,它能够是两个层之间的唯一的层,或者还可以存在一个或者多个中间层。

在附图中,为了图示清晰,层和区域的尺寸被夸大。此外,每个部件的尺寸没有反映真实大小。

在下文中,将会参考附图描述根据实施例的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。

在实施例中,示例性描述一种垂直型发光器件,该垂直型发光器件包括发光半导体层,该发光半导体层包括被顺序地堆叠的第二导电类型半导体层、有源层以及第一导电半导体层;发光半导体层上(即,第一导电类型半导体层上)的第一电极;以及发光半导体层下面的(即,第二导电类型半导体层下面的)第二电极。在此,第二电极可以在发光半导体层下面形成为单层。

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