[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，

其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和

其中，所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40％的透光率。

2.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，

其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和

其中，所述晶片粘合层对于波长为1064nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为1064nm的光具有小于40％的透光率。

3.根据权利要求1或2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中将所述晶片粘合层和所述激光标识层两者均着色。

4.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和

根据权利要求1至3任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜以将所述激光标识层层压于所述切割带的压敏粘合剂层上的方式形成于所述切割带的压敏粘合剂层上。

5.根据权利要求4所述的半导体背面用切割带集成膜，其用于倒装芯片安装的半导体器件。

6.一种生产半导体器件的方法，所述方法包括：

将工件粘贴至根据权利要求4或5所述的半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜中的晶片粘合层上，

切割所述工件以形成芯片形工件，

将所述芯片形工件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和

将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。

7.一种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求4或5所述的半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜。