[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜。倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(如半导体芯片)的背面并增强强度。此外，本发明涉及使用具有所述倒装芯片型半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。

背景技术

近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至10)。

专利文献1：JP-A-2008-166451

专利文献2：JP-A-2008-006386

专利文献3：JP-A-2007-261035

专利文献4：JP-A-2007-250970

专利文献5：JP-A-2007-158026

专利文献6：JP-A-2004-221169

专利文献7：JP-A-2004-214288

专利文献8：JP-A-2004-142430

专利文献9：JP-A-2004-072108

专利文献10：JP-A-2004-063551

发明内容

然而，在半导体器件生产中，在半导体芯片背面上进行激光标识。在这种情况下，期望用于保护半导体芯片背面的背面保护膜，所述背面保护膜能够以优良的激光标识性进行激光标识，同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件本身。

此外，用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加该粘贴步骤，因此步骤数量增加并且成本等增加。此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片拾取步骤中在一些情况下可能损坏半导体芯片。因而，期望增强半导体晶片或半导体芯片直到拾取步骤。

考虑到前述问题设计了本发明，其目的在于提供倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜能够以优良的激光标识性进行激光标识，同时几乎不会或从不会损坏芯片型工件本身。此外，其另一目的是提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本发明的再一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后显示出优良的激光标识性和外观性。

作为解决上述常规问题的深入研究结果，本发明人已发现，当将具有包括各自具有特定透光率的多层结构的倒装芯片型半导体背面用膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而形成集成形式的切割带和半导体背面用膜时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示出优良的激光标识性和优良的外观性，从而完成本发明。

即，本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，

其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和

其中，所述晶片粘合层对于波长为532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于波长为532nm的光具有小于40％的透光率。

即，本发明提供倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面上，

其中所述膜包括晶片粘合层和激光标识层，和

其中，所述晶片粘合层对于1064nm波长的光具有40％以上的透光率，以及所述激光标识层对于1064nm波长的光具有小于40％的透光率。

此外，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和

具有上述构成和特性的倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜以所述激光标识层层压于所述切割带的压敏粘合剂层上的方式形成于所述切割带的压敏粘合剂层上。