[发明专利]一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法无效

专利信息
申请号: 201010621803.0 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102566255A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 戴新华;徐国刚;赵志敏;马玉玲 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 曝光 对准 标记 制作方法
【权利要求书】:

1.一种用于曝光机对准的光罩,其特征在于,所述光罩包括:

第一组对准标记,第二组对准标记和第三组对准标记中的至少两组,其中,

所述第一组对准标记包括Rx1、Ry1和Rθ1,其中Rx1位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,并且距离所述中心点54毫米,Ry1位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴,距离所述中心点53毫米,Rθ1位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点53毫米,

所述第二组对准标记包括Rx2、Ry2和Rθ2,其中Rx2位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,并且距离所述中心点52毫米,Ry2位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴,距离所述中心点43毫米,Rθ2位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点43毫米,

所述第三组对准标记包括Rx3、Ry2、X和Y,其中Rx3位于经过所述光罩中心点的纵轴的正半轴,并且距离所述中心点52毫米,X位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴,距离所述中心点50毫米,Y位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴,距离所述中心点40.5毫米。

2.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Ry1、Ry2及Rθ1位于其所对应的对准区域内;

每个对准区域为以对应的对准标记为中心点的正方形区域,该正方形区域的边长为5000微米,误差为正负100微米;

该对准标记相对中心点的横向误差和纵向误差为20加减0.5微米。

3.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Rθ2位于其所对应的对准区域内;

该对准区域为以该对准标记Rθ2为中心点的矩形区域,该矩形区域的长为4500微米,误差为正负100微米,宽为5000微米,误差为正负100微米;

该对准标记Rθ2相对中心点的横向误差和纵向误差为20加减0.5微米。

4.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Rx1位于其所对应的对准区域内;

该对准区域为以该对准标记Rx1为中心点的正方形区域,该正方形区域的边长为5000微米,误差为正负100微米;

该对准标记Rx1相对中心点的横向误差和纵向误差为20加减0.5微米。

5.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Rx2位于其所对应的对准区域内;

该对准区域为以该对准标记Rx2为中心点的矩形区域,该矩形区域的长为5000微米,误差为正负100微米,宽为4000微米,误差为正负100微米;

该对准标记Rx2相对中心点的横向误差和纵向误差为20加减0.5微米。

6.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Rx3位于其所对应的对准区域内;

该对准区域为以该对准标记Rx3为中心点的正方形区域,该正方形区域的边长为5000微米,误差为正负100微米;

该对准标记相对中心点的纵向误差为20加减0.5微米。

7.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记X包括以经过中心点的纵轴为中心的,间距为28微米的两条平行于纵轴的竖线,误差为正负0.5微米;以及,

以经过中心点的纵轴为中心的,两个三角形区域,两个三角形的对应两条边平行于纵轴,间距为10微米,误差为0.5微米。

8.如权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述对准标记Y包括以经过中心点的横轴为中心的,间距为28微米的两条平行于横轴的横线,误差为正负0.5微米;以及,

以经过中心点的横轴为中心的,两个三角形区域,两个三角形的对应两条边平行于横轴,间距为10微米,误差为0.5微米。

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