[发明专利]一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件生产技术领域，尤其涉及一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法。

背景技术

曝光机台在进行曝光之前，需要根据用于对其进行对准的光罩上包含的对准标记进行对准，对准后才可以进行曝光。而现有的光罩上只包含一组对准标记，用于对一种型号的曝光机台进行对准。由于光罩上包含的对准标记较少，因此限制了光罩的使用范围。当采用不同型号的曝光机台进行曝光时，需要在光罩在使用前更换光罩，在根据更换后的光罩进行对准。

由于在更换光罩后，需要对光罩进行对准，并且当曝光过程中需要的曝光机台比较多时，在每个光罩对准的过程中很可能存在不准确的问题，即光罩之间不可能完全对准。因此当曝光机台根据光罩上包含的对准标记进行对准后，也是不准确的，当采用该未准确对准的曝光机台进行曝光时，也会影响曝光产品的精度。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法，用以解决现有技术中由于光罩更换过程中由于光罩对准不准确，影响曝光产品的精度的问题。

本发明实施例提供的一种用于曝光机对准的光罩，包括：

第一组对准标记，第二组对准标记和第三组对准标记中的至少两组，其中，

所述第一组对准标记包括Rx1、Ry1和Rθ1，其中Rx1位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，并且距离所述中心点54毫米，Ry1位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴，距离所述中心点53毫米，Rθ1位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点53毫米，

所述第二组对准标记包括Rx2、Ry2和Rθ2，其中Rx2位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，并且距离所述中心点52毫米，Ry2位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴，距离所述中心点43毫米，Rθ2位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点43毫米，

所述第三组对准标记；Rx3、Ry2、X和Y，其中Rx3位于经过所述光罩中心点的纵轴的正半轴，并且距离所述中心点52毫米，X位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，距离所述中心点50毫米，Y位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点40.5毫米。

本发明实施例提供的一种光罩对准标记制作方法，包括：

确定光罩的中心点，及经过该中心点的横轴和纵轴；

在经过中心点的横轴和纵轴上确定至少两组对准标记的位置，根据确定的每组对准标记的位置进行显影、刻蚀每组对准标记，

其中，第一组对准标记包括Rx1、Ry1和Rθ1，其中Rx1位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，并且距离所述中心点54毫米，Ry1位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴，距离所述中心点53毫米，Rθ1位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点53毫米，

第二组对准标记包括Rx2、Ry2和Rθ2，其中Rx2位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，并且距离所述中心点52毫米，Ry2位于经过所述光罩中心点的横轴的负半轴，距离所述中心点43毫米，Rθ2位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点43毫米，

第三组对准标记包括Rx3、Ry2、X和Y，其中Rx3位于经过所述光罩中心点的纵轴的正半轴，并且距离所述中心点52毫米，X位于经过所述光罩中心点的纵轴的负半轴，距离所述中心点50毫米，Y位于经过所述光罩中心点的横轴的正半轴，距离所述中心点40.5毫米。

本发明实施例提供了一种用于曝光机对准的光罩及光罩对准标记制作方法，该光罩包括第一组对准标记，第二组对准标记和第三组对准标记中的至少两组，每组对准标记位于经过光罩中心点的横轴和纵轴上。由于在本发明实施例中该用于曝光机台校准的光罩包括至少两组对准标记，因此扩大了采用该光罩进行对准的曝光机台的范围，减小了在每次曝光过程中更换光罩的可能性，从而降低了曝光过程中产生的误差，提高了曝光产品的精度。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种用于曝光机对准的光罩包含的每组校准标记的结构示意图；

图2A、图2B、图2C为本发明实施例提供的对准标记Ry1、Ry2及Rθ1与其对应对准区域的关系；

图3为本发明实施例提供的对准标记Rθ2与其对应对准区域的关系；

图4为本发明实施例提供的对准标记Rx1和Rx2与其对应对准区域的关系；

图5为本发明实施例提供的为对准标记X的结构示意图关系；

图6为本发明实施例提供的为对准标记Y的结构示意图关系；