[发明专利]一种OLED材料的真空升华提纯方法

权利要求书

1.一种OLED材料的真空升华提纯方法，其特征在于：该方法在一包括一第一温区、一第二温区以及一第三温区的设备中进行；其中，在该第一温区至该第三温区的方向上依次为该第一温区、该第二温区以及该第三温区，相邻的两个温区之间连通；对该第一温区、该第二温区以及该第三温区分别进行独立的温度控制；每个温区具有各自的温区加热温度；该真空升华提纯方法具体包括下述步骤：

(1)在压力小于1×10^-3Pa的真空条件下，将欲提纯的OLED材料粗产品置于该第一温区中，加热该第一温区至一第一温区加热温度，同时将该第二温区以及该第三温区的温度保持在低于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；使得欲提纯的OLED材料粗产品中升华温度低于该第一温区加热温度的物质进行升华后沉积于该第一温区与该第二温区的交界区域；该第一温区加热温度高于在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度且该第一温区加热温度与该最低升华温度的差不超过150℃；

(2)在该第一温区的升华结束后，在压力小于1×10^-3Pa的真空条件下，加热该第二温区至该第二温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第三温区的温度维持不变；从而使升华温度低于该第二温区加热温度的杂质进行升华后沉积于该第二温区和该第三温区的交界区域；该第二温区加热温度为在该真空条件下该OLED材料纯品的最低升华温度；

(3)在该第二温区的升华结束后，在压力小于1×10^-3Pa的真空条件下，加热该第三温区至一第三温区加热温度，同时使该第一温区的温度维持在该第一温区加热温度，使该第二温区的温度维持在该第二温区加热温度，从而使升华温度低于该第三温区加热温度的杂质升华后沉积到该第三温区以及该第三温区以外的区域中，该第三温区加热温度为选自低于该第二温区加热温度20℃～40℃之间的温度；

(4)在该第三温区的升华结束后，降低上述所有温区的温度，取出位于该第二温区以及位于该第二温区与该第三温区的交界区域上的沉积物，即得OLED材料纯品。

2.如权利要求1所述的真空升华提纯方法，其特征在于：步骤(1)中将该第二温区以及该第三温区的温度保持在室温；步骤(4)中，在该第三温区的升华结束后，降低上述所有温区的温度至室温。