[发明专利]一种GaN基发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201010622187.0 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102544250A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王立彬 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 制作方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管的制作方法，它的方法步骤为：
①在蓝宝石衬底(1)上外延氮化镓层(2)，氮化镓层(2)包含N-GaN层、有源层和P-GaN层；
②研磨减薄蓝宝石衬底(1)；
③在氮化镓层(2)表面采用电子束蒸发设备蒸镀ITO薄膜(3)；
④在器件表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用ITO刻蚀液刻蚀出N型电极区域的ITO，然后采用ICP设备刻蚀出N型电极区域(4)，去除光刻胶，在N2气氛中退火；
⑤用PECVD蒸镀SiO2钝化层(5)；
⑥在器件表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用BOE腐蚀SiO2钝化层(5)，用电子束蒸发设备蒸镀金属电极，剥离去胶，形成P-GaN层上的金属电极一(6)与N-GaN上的金属电极二(7)，然后在N2气氛中退火；
⑦在器件上表面涂胶、曝光和显影形成掩蔽层，用ICP刻蚀工艺刻蚀切割道，露出蓝宝石衬底(1)的部分上表面；
⑧在蓝宝石衬底(1)底面进行激光划片，产生熔渣碎屑(8)；
⑨将蓝宝石衬底(1)的底面向上放置于ICP设备中，进行ICP刻蚀，清除熔渣碎屑(8)；
⑩最后进行裂片，形成单个发光二极管芯片。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，在完成外延工艺后，先做研磨工艺，然后做刻蚀、电极等工艺。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的厚度研磨减薄至120微米至300微米。
4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，所述的激光划片产生的熔渣碎屑(8)，采用ICP刻蚀方法清除。
5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管的制作方法，其特征在于，所述的刻蚀切割道，该刻蚀深度位置可以位于GaN外延层位置，可以位于蓝宝石衬底的上表面，也可以位于蓝宝石内的位置。
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