[发明专利]用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

单元晶体管，以单元矩阵形状排列在所述基底上，并包括栅极绝缘图案、栅电极、共源极区、漏极区和沟道区；

字线，被构造为将所述栅电极彼此电互连；

共源极线，每个共源极线仅在一对相邻的字线之间共享，并被构造为将所述共源极区彼此电互连；

漏极金属接触件和源极金属接触件，以直线布置在所述漏极区上；

位线，电连接到所述漏极金属接触件；

杂质区，被构造为控制所述沟道区的阈值电压，其中，所述沟道区将所述共源极线连接到所述源极金属接触件，对于所述共源极线中的各条共源极线，所述杂质区设置在所述沟道区的连接到所述一对相邻的字线中的一条字线的一部分上，使得所述共源极线中的相应一条共源极线与所述一对相邻的字线中的另一条字线电隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述杂质区掺杂有包括磷和/或砷的杂质离子。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述基底包括所述漏极金属接触件重复地排列的漏极金属接触区和所述源极金属接触件重复地排列的源极金属接触区，

其中，所述基底包括隔离层和有源区，所述隔离层设置在所述漏极金属接触区和所述源极金属接触区中，

其中，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区沿所述基底的y方向延伸并被构造为用作所述漏极区、所述沟道区和共源极线，所述第二有源区沿所述基底的x方向延伸并被构造为用作所述共源极区和所述共源极线，

其中，所述第一有源区和所述第二有源区在所述漏极金属接触区中沿所述x方向和所述y方向通过所述共源极区彼此互连，所述第一有源区在所述源极金属接触区中沿所述y方向通过所述隔离层彼此隔离，所述第二有源区沿所述x方向彼此互连。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在源侧注入型闪存半导体装置中，所述栅电极具有浮置栅极图案和控制栅极图案垂直地堆叠的多层结构，栅极介电图案设置在所述浮置栅极图案和所述控制栅极图案之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述共源极线分别仅在一对相邻的字线之间共享，每条共源极线对单独的程序操作电压作出响应。

6.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

隔离层，在基底上被形成为岛形状；

第一有源区，由所述隔离层限定，并被构造为沿所述基底的y方向延伸；

第二有源区，被构造为用作共源极线，并被构造为沿所述基底的x方向延伸；

漏极区，形成在所述第一有源区中；

共源极区，形成在所述第一有源区和所述第二有源区的交叉处，并通过所述共源极线彼此互连；

沟道区，形成在所述第一有源区中，并被构造为将所述漏极区连接到所述共源极区；

栅极绝缘图案和栅电极，顺序地堆叠在所述沟道区上；

字线，可操作地向所述栅电极施加栅极电压；

位线，可操作地向所述漏极区施加漏极电压；

地线，可操作地向所述共源极线施加参考电压；

漏极金属接触件，被构造为将所述漏极区的一侧连接到所述位线；

源极金属接触件，被构造为将所述漏极区的另一侧连接到所述地线；

杂质区，其中，所述沟道区掺杂有注入离子，并被构造为将所述源极金属接触件连接到所述共源极线，以控制所述沟道区的阈值电压。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，在所述沟道区不掺杂有注入离子的另一区域中，所述第一有源区通过所述隔离层隔离。

8.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，具有漏极金属接触件重复地排列的第一区域和源极金属接触件重复地排列的第二区域；

漏极区，形成在所述基底上，其中，漏极金属接触件和源极金属接触件沿直线排列；

共源极区，通过共源极线彼此互连，在所述共源极区中未形成有漏极金属接触件和源极金属接触件；

沟道区，被构造为将所述漏极区连接到所述共源极区；

栅电极，形成在所述沟道区上；

位线，连接到所述漏极金属接触件；

杂质区，形成在将所述源极金属接触件和所述共源极线电互连的所述沟道区中。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一区域对应于存储器单元阵列区，所述第二区域对应于虚设单元阵列区。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一区域包括用作所述漏极区、所述沟道区和所述共源极区的第一有源区和用作所述共源极线的第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区沿所述基底的x方向和y方向彼此互连，

其中，所述第二区域包括用作所述漏极区、所述沟道区和所述共源极区的第一有源区和用作所述共源极线的第二有源区，所述第二有源区沿所述基底的x方向彼此互连，而所述第一有源区的仅仅一部分沿所述y方向彼此互连。