[发明专利]用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置

说明书

技术领域

示例实施例涉及一种用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置。

背景技术

半导体装置可以适于在存储器单元写入、擦除和读取预定数据。为此，会需要至少一条共源极线来控制参考电压。

发明内容

示例实施例提供了一种将偏置电压独立地施加到共源极线的半导体装置。

另外，示例实施例提供了一种以直线排列漏极金属接触件和源极金属接触件以规则地且重复地布置隔离层和有源区的半导体装置。

本发明主题的技术目的不限于以上公开内容；基于下面的描述，其它目的对于本领域普通技术人员来说会变得显而易见。

根据示例实施例，一种半导体装置包括：基底；单元晶体管，以单元矩阵形状排列在所述基底上，并被构造为具有栅极绝缘图案、栅电极、共源极区、漏极区和沟道区；字线，被构造为将所述栅电极彼此电互连；共源极线，仅在一对相邻的字线之间共享，并被构造为将所述共源极区彼此电互连；漏极金属接触件和源极金属接触件，以直线布置在所述漏极区上；位线，电连接到所述漏极金属接触件；杂质区，被构造为控制所述沟道区的阈值电压。所述沟道区将所述共源极线连接到所述源极金属接触件。所述杂质区形成在所述沟道区的连接到所述一对相邻的字线中的一条字线的一部分上，使得所述共源极线与所述一对相邻的字线中的另一条字线电隔离。

根据其它示例实施例，一种半导体装置包括：隔离层，在基底上被形成为岛形状；第一有源区，由所述隔离层限定，并被构造为沿所述基底的y方向延伸；第二有源区，被构造为用作共源极线，并被构造为沿所述基底的x方向延伸；漏极区，形成在所述第一有源区中；共源极区，形成在所述第一有源区和所述第二有源区的交叉点处，并通过所述共源极线彼此互连；沟道区，形成在所述第一有源区中，并被构造为将所述漏极区连接到所述共源极区；栅极绝缘图案和栅电极，顺序地堆叠在所述沟道区上；字线，被构造为向所述栅电极施加栅极电压；位线，被构造为向所述漏极区施加漏极电压；地线，被构造为向所述共源极线施加参考电压；漏极金属接触件，被构造为将所述漏极区的一侧连接到所述位线；源极金属接触件，被构造为将所述漏极区的另一侧连接到所述地线；杂质区，其中，所述沟道区掺杂有注入离子，并被构造为将所述源极金属接触件连接到所述共源极线，以控制所述沟道区的阈值电压。

根据其它示例实施例，一种半导体装置包括：基底，被构造为具有漏极金属接触件重复地排列的第一区域和源极金属接触件重复地排列的第二区域；漏极区，形成在所述基底上，其中，漏极金属接触件和源极金属接触件沿直线排列；共源极区，通过共源极线彼此互连，在所述共源极区中未形成有漏极金属接触件和源极金属接触件；沟道区，被构造为将所述漏极区连接到所述共源极区；栅电极，形成在所述沟道区上；位线，连接到所述漏极金属接触件；杂质区，形成在将所述源极金属接触件和所述共源极线电互连的所述沟道区中。

在详细的描述和附图中包括其它实施例的细节。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入到本说明书中，并构成本说明书的一部分。附图与描述一起对本发明构思的示例实施例进行举例说明，以用于解释本发明构思的原理。在附图中：

图1示出根据示例实施例的用于向共源极线施加独立的偏置电压的半导体装置层。

图2A是沿图1的A-A′线截取的纵向剖视图。

图2B是沿图1的B-B′线截取的纵向剖视图。

图3示出图1中的有源区和隔离层。

图4示出根据其它示例实施例的有源区和隔离层。

图5A至图15A是沿图1的A-A′线截取的纵向剖视图，其示出根据示例实施例的制造半导体装置的方法。

图5B至图15B是沿图1的B-B′线截取的纵向剖视图，其示出根据示例实施例的制造半导体装置的方法。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思可以以不同形式来实施，而不应该被理解为局限于在此提出的实施例。而是提供这些实施例使本公开将是彻底的且完整的，并将把本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。