[发明专利]半导体存储器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

第一导电型阱和第二导电型阱，被置于半导体衬底上；

第一栅极和第二栅极，分别被置于所述第一导电型阱和所述第二导电型阱上；

第二导电型第一离子注入区和第二导电型第二离子注入区，所述第二导电型第一离子注入区被置于所述第一导电型阱中且位于所述第一栅极的一侧，所述第二导电型第二离子注入区被置于所述第一导电型阱中且位于所述第一栅极的另一侧；

第一导电型第一离子注入区和第一导电型第二离子注入区，所述第一导电型第一离子注入区被置于所述第二导电型阱中且位于所述第二栅极的一侧，所述第一导电型第二离子注入区被置于所述第二导电型阱中且位于所述第二栅极的另一侧；以及

电线，电连接所述第二导电型第二离子注入区与所述第一导电型第一离子注入区；

其中，所述第一导电型阱、所述第一栅极、所述第二导电型第一离子注入区和第二导电型第二离子注入区构成第二导电型选择晶体管；以及

所述第二导电型阱、所述第二栅极、所述第一导电型第一离子注入区和第一导电型第二离子注入区构成第一导电型浮置晶体管。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

器件隔离区，被置于所述第一导电型阱与所述第二导电型阱的边界处，以将所述第二导电型第二离子注入区与所述第一导电型第一离子注入区电绝缘；

第一导电型第一塞区，被置于所述第二导电型第二离子注入区与所述器件隔离区之间；以及

第二导电型第二塞区，被置于所述第一导电型第一离子注入区与所述器件隔离区之间。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

器件隔离层，将所述第一导电型阱与所述第二导电型阱隔离，或所述器件隔离层被置于所述第一导电型阱与所述第二导电型阱的上部边界部分，以将所述第二导电型第一离子注入区和第二导电型第二离子注入区与第一导电型第一离子注入区和第一导电型第二离子注入区隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，还包括：

至少一个输入端子，在施加电压时被用作电极，并且所述输入端子被置于所述第二导电型第一离子注入区、所述第二导电型第二离子注入区、所述第一导电型第一离子注入区和所述第一导电型第二离子注入区的至少一个上。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，

所述第二导电型第一离子注入区被连接到共源线；

所述第二导电型第二离子注入区被连接到所述第一导电型第一离子注入区；

所述第一栅极被连接到字线；

所述第一导电型第二离子注入区被连接到位线；以及

所述第二栅极浮置。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，

所述第二导电型第一离子注入区被连接到共源线；

所述第二导电型第二离子注入区被连接到所述第一导电型第二离子注入区；

所述第一栅极被连接到字线；

所述第一导电型第一离子注入区被连接到位线；以及

所述第二栅极浮置。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，

所述第二导电型第二离子注入区被连接到共源线；

所述第二导电型第一离子注入区被连接到所述第一导电型第一离子注入区；

所述第一栅极被连接到字线；

所述第一导电型第二离子注入区被连接到位线；以及

所述第二栅极浮置。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中，

所述第二导电型第二离子注入区被连接到共源线；

所述第二导电型第一离子注入区被连接到所述第一导电型第二离子注入区；

所述第一栅极被连接到字线；

所述第一导电型第一离子注入区被连接到位线；以及

所述第二栅极浮置。

9.根据权利要求5至8中任一权利要求所述的半导体存储器器件，其中，

正电势的第一电压(Vpp；正编程电压)被施加到所述位线和所述第二导电型阱；

正电势的第二电压(Vwlp；字线编程电压)被施加到所述字线；以及

所述共源线和所述第一导电型阱被连接到基准电压并且被编程。