[发明专利]芯片载体的无核制作方法

权利要求书

1.一种芯片载体的无核制作方法，其特征在于，包括：

在载板上制备至少两层精细线路层、位于所述至少两层精细线路层之间的内层导电柱层和内层绝缘层，以获得内层精细线路板；

在所述内层精细线路板的至少一面上制备至少一层导电柱层、至少一层外层绝缘层和至少一层外层精细线路层。

2.根据权利要求1所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述内层绝缘层材料和/或所述外层绝缘层材料为纯树脂，所述纯树脂包括：环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺三嗦BT树脂。

3.根据权利要求1或2所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述载板为铜质载板。

4.根据前述权利要求中任一所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在载板上制备至少两层精细线路层、位于所述至少两层精细线路层之间的内层导电柱层和内层绝缘层，以获得内层精细线路板之前还包括：

将所述载板进行抛光处理，且优选地，使所述载板的粗糙度在0.1-0.3μm之间。

5.根据前述权利要求中任一所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在载板上制备至少两层精细线路层、位于所述至少两层精细线路层之间的内层导电柱层和内层绝缘层，以获得内层精细线路板包括：

在载板上电镀第一精细线路层和内层导电柱层；

在所述第一精细线路层和内层导电柱层上覆盖内层绝缘层，对所述内层绝缘层进行层压和研磨处理得到所述内层绝缘层和内层导电柱层组成的平面；

在所述内层绝缘层和内层导电柱层组成的平面上通过金属沉积或金属喷溅的方式制作一层导电种子层，在所述导电种子层上制备第二精细线路层。

6.根据权利要求5所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在载板上电镀第一精细线路层和内层导电柱层包括：

对所述第一精细线路层和内层导电柱层进行棕化处理后，在所述第一精细线路层和内层导电柱层上覆盖一层所述内层绝缘层。

7.根据权利要去5或6所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，

通过沉铜、金属喷溅或闪镀的方式在所述平面上制备所述导电种子层。

8.根据前述权利要求中任一所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在载板上制作至少两层精细线路层、位于所述至少两层精细线路层之间的内层导电柱层和内层绝缘层，以获得内层精细线路板之前还包括：

在经过抛光处理的所述载板上制备一层导电种子层，在所述导电种子层上制备所述内层精细线路板。

9.根据前述权利要求中任一所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在所述内层精细线路板的至少一面上制备至少一层导电柱层、至少一层外层绝缘层和至少一层外层精细线路层包括：

在所述内层精细线路板双面中的一面制备第一导电柱层和第一外层绝缘层，在所述内层精细线路板双面中的另一面和制备第二导电柱层、第二外层绝缘层；

分别对所述第一外层绝缘层和第二外层绝缘层进行层压和研磨处理得到所述第一外层绝缘层和所述第一导电柱层组成的平面以及所述第二导电柱层和所述第二外层绝缘层组成的平面；

分别在所述第一外层绝缘层和所述第一导电柱层组成的平面制备第三导电种子层以及所述第二导电柱层和所述第二外层绝缘层组成的平面制备第四导电种子层；

分别在所述第三导电种子层上制备第三精细线路层以及在所述第四导电种子层上制备第四精细线路层。

10.根据前述权利要求中任一所述的芯片载体的无核制作方法，其特征在于，所述在所述内层精细线路板双面中的一面制备第一导电柱层和第一外层绝缘层，在所述内层精细线路板双面中的另一面和制备第二导电柱层、第二外层绝缘层包括：

对所述第一导电柱层的表面和第二导电柱层的表面进行棕化处理。

11.一种芯片载体，其特征在于，所述芯片载体采用权利要求1-10中任意一项所述的无核制作方法制作得到。

12.根据权利要求11所述的芯片载体，其特征在于，所述精细线路层的线宽和/或线间距小于或等于25um，优选地小于或等于15um，例如为10um。