[发明专利]光刻胶组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻胶组合物。

背景技术

用于采用光刻工艺的半导体微制造的光刻胶组合物包含：树脂，其具有衍生自具有酸不稳定基团的化合物的结构单元，且不溶于或难溶于碱水溶液中但通过酸的作用变得可溶于碱水溶液中；产酸剂，其包含通过辐射产生酸的化合物；以及碱性化合物。

美国专利5,914,219公开了一种光刻胶组合物，其包含：树脂，其具有衍生自具有酸不稳定基团的化合物的结构单元，且不溶于或难溶于碱水溶液中但通过酸的作用变得可溶于碱水溶液中；产酸剂，其包含通过辐射产生酸的化合物；以及作为碱性化合物的四丁基氢氧化铵。

发明内容

本发明提供一种光刻胶组合物。

本发明涉及如下方面：

<1>一种光刻胶组合物，包含：

包含式(I)表示的结构单元的树脂和式(D’)表示的化合物：

其中Q¹和Q²独立地表示氟原子或C1-C6全氟烷基；U表示C1-C20二价烃基，其中一个或更多个-CH₂-可被-O-、-NH-、-S-、-NR^c-、-CO-或-CO-O-替代，R^c表示C1-C6烷基；X¹表示-O-CO-、-CO-O-、-CO-O-CH₂-、-CH₂-O-CO-、-O-CH₂-、-CH₂-O-、-NR^d-CO-或-CO-NR^d-，R^d表示氢原子或C1-C6烷基；A⁺表示有机反荷离子，

其中R⁵¹、R⁵²、R⁵³和R⁵⁴独立地表示可具有一个或更多个取代基的C1-C20烷基、可具有一个或更多个取代基的C3-C30饱和环状烃基或可具有一个或更多个取代基的C2-C20烯基，A¹¹表示可具有一个或更多个取代基并可含有一个或更多个杂原子的C1-C36饱和环状烃基；

<2>根据<1>的光刻胶组合物，其中式(D’)表示的化合物为式(D)表示的化合物：

其中R¹、R²、R³和R⁴独立地表示C1-C8烷基，A¹表示可含有一个或更多个杂原子并具有一个或更多个取代基的C3-C36二价饱和环状烃基、或可含有一个或更多个杂原子并具有一个或更多个取代基的C6-C20二价芳族烃基；

<3>根据<2>的光刻胶组合物，其中R¹、R²、R³和R⁴独立地表示C1-C6烷基；

<4>根据<1>、<2>或<3>的光刻胶组合物，其中Q¹和Q²为氟原子；

<5>根据<1>、<2>、<3>或<4>的光刻胶组合物，其中A⁺为式(IIIa)表示的阳离子：

其中P¹、P²和P³独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、氰基、C1-C12烃基或C1-C12烷氧基；

<6>根据<1>、<2>、<3>、<4>或<5>的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(II)表示的结构单元：

其中R²¹表示氢原子或甲基，R²²表示C1-C6烃基，X²表示单键或^＊-(CH₂)_k-CO-O-，其中^＊表示与-O-的键合位置，k表示1-6的整数；

<7>根据<1>、<2>、<3>、<4>、<5>或<6>的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(VI)表示的结构单元：