[发明专利]半导体封装件有效
申请号: | 201010624748.0 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102110674A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 钟启生;翁千禾;陈建成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/29;H05K9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
一基板,具有数个周边表面、一上表面与一下表面,该些周边表面具有一基板侧面;
一导电件,位于该基板中,该导电件具有一导电件侧面,该导电件侧面暴露并实质上齐平于该基板侧面上;
一半导体组件,位于该基板的该上表面上并与该基板电性连接;
一封装体,覆盖于该基板的该上表面及该半导体组件上,该封装体具有数个外表面,该些外表面中具有一封装体侧面,该封装体侧面与该基板侧面实质上齐平;以及
一金属层,以溅镀的方式涂布于该基板的该些周边表面与该封装体的该些外表面上,该金属层与该导电件电性连接,该金属层包括:
一防电磁干扰金属层;以及
一防锈金属层,覆盖于该防电磁干扰金属层上。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该金属层更包括一内层金属层,该防电磁干扰金属层位于该内层金属层与该防锈金属层之间。
3.如权利要求2所述的半导体封装件,其中该内层金属层的厚度实质上介于30纳米到300纳米之间。
4.如权利要求2所述的半导体封装件,其中该内层金属层的材质为不锈钢。
5.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该防电磁干扰金属层的厚度实质上介于0.1微米到6微米之间。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该防锈金属层的厚度实质上介于30纳米到500纳米之间。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中该防电磁干扰金属层与该防锈金属层的材质分别为铜与不锈钢。
8.一种半导体封装件,包括:
一基板,具有数个周边表面、一上表面与一下表面;
一导电件,位于该基板中并暴露于该基板的该上表面,该导电件邻近设置于该基板的该些周边表面其中之一;
一半导体组件,位于该基板的该上表面上并与该基板电性连接;
一封装体,覆盖于该基板的该上表面与该半导体组件上并暴露出至少部分的该导电件,该封装体具有数个外表面;以及
一金属层,以溅镀的方式涂布于该封装体的该些外表面上并与该导电件电性连接,该金属层包括:
一防电磁干扰金属层;以及
一防锈金属层,覆盖于该防电磁干扰金属层上。
9.如权利要求8所述的半导体封装件,其中该金属层更包括一内层金属层,该防电磁干扰金属层位于该内层金属层与该防锈金属层之间。
10.如权利要求9所述的半导体封装件,其中该内层金属层的厚度实质上介于30纳米到300纳米之间。
11.如权利要求9所述的半导体封装件,其中该内层金属层的材质为不锈钢。
12.如权利要求8所述的半导体封装件,其中该防电磁干扰金属层的厚度实质上介于0.1微米到6微米之间。
13.如权利要求8所述的半导体封装件,其中该防锈金属层的厚度实质上介于30纳米到500纳米之间。
14.如权利要求8所述的半导体封装件,其中该防电磁干扰金属层与该防锈金属层的材质分别为铜与不锈钢。
15.一种半导体封装件,包括:
一基板,具有数个周边表面、一上表面、一下表面与一接地面;
一导电件,位于该基板中并与该接地面电性连接;
一半导体组件,位于该基板的该上表面上并与该基板电性连接;
一封装体,覆盖于该基板的该上表面与该半导体组件上并暴露出至少部分的该导电件,该封装体具有数个外表面;以及
一金属层,以溅镀的方式涂布于该封装体的该些外表面上并与该导电件电性连接,该金属层包括:
一防电磁干扰金属层,其材质为铜;以及
一防锈金属层,其材质为不锈钢且覆盖于该防电磁干扰金属层上。
16.如权利要求15所述的半导体封装件,其中该金属层更包括一内层金属层,其材质为不锈钢,且该防电磁干扰金属层位于该内层金属层与该防锈金属层之间。
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