[发明专利]半导体封装件有效
申请号: | 201010624748.0 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN102110674A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 钟启生;翁千禾;陈建成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/29;H05K9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体封装件,且特别是有关于一种可屏蔽电磁干扰的半导体封装件。
背景技术
典型的半导体组件设置在基板上,此半导体组件的效能可能会因外来的电磁干扰(EMI)而受到不利的影响。
而现代电子系统变得越来越小,电子系统内电子构件的密度越来越大。但同时,这些电子系统操作频率的增加亦造成高频电磁波干扰的发生。以往,解决电磁波干扰的方式经由在半导体封装件的外表面设置一金属罩子做为屏蔽电磁干扰的用途,用以使半导体封装件中的电子构件不受外来的电磁干扰影响,亦可避免半导体封装件中的电子构件产生的电磁干扰影响外部的电子构件。但金属罩子通常具有一定厚度,而使半导体封装件的体积变大。另外,要完全刚好使金属罩子包覆住封装体亦有其难度。因此,研发出一厚度较薄且可完全包覆封装体,并有良好的电磁防护效果的封装体实为业界一致努力的目标。
发明内容
本发明有关于一种半导体封装件,其利用涂布金属于半导体封装件的外部以屏蔽电磁干扰。
根据本发明的第一方面,提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一导电件、一半导体组件、一封装体以及一金属层。基板具有多个周边表面、一上表面与一下表面,此些周边表面具有一基板侧面。导电件位于基板中,导电件具有一导电件侧面,导电件侧面暴露并实质上齐平于基板侧面上。半导体组件位于基板的上表面上并与基板电性连接。封装体覆盖于基板的上表面及半导体组件上。封装体具有多个外表面,此些外表面中具有一封装体侧面,封装体侧面与基板侧面实质上齐平。金属层位于基板的此些周边表面与封装体的此些外表面上,金属层与导电件电性连接。金属层包括一防电磁干扰金属层以及一防锈金属层。防锈金属层覆盖于防电磁干扰金属层上。
根据本发明的第二方面,提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一导电件、一半导体组件、一封装体以及一金属层。基板具有多个周边表面、一上表面与一下表面。导电件位于基板中并暴露于基板的上表面,导电件邻近设置于基板的此些周边表面其中之一。半导体组件位于基板的上表面上并与基板电性连接。封装体覆盖于基板的上表面与半导体组件上并暴露出至少部分的导电件,封装体具有多个外表面。金属层位于封装体的此些外表面上并与导电件电性连接。金属层包括一防电磁干扰金属层以及一防锈金属层。防锈金属层覆盖于防电磁干扰金属层上。
根据本发明的第三方面,提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一导电件、一半导体组件、一封装体以及一金属层。基板具有多个周边表面、一上表面、一下表面与一接地面。导电件位于基板中并与接地面电性连接。半导体组件位于基板的上表面上并与基板电性连接。封装体覆盖于基板的上表面与半导体组件上并暴露出至少部分的导电件。封装体具有多个外表面。金属层以溅镀的方式涂布于封装体的此些外表面上并与导电件电性连接。金属层包括一防电磁干扰金属层以及一防锈金属层。防电磁干扰金属层其材质为铜。防锈金属层其材质为不锈钢且覆盖于防电磁干扰金属层上。
为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解,下文特举较佳实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A绘示依据本发明的一实施例的半导体封装件的剖面图。
图1B绘示依据本发明的另一实施例的半导体封装件的剖面图。
图2A绘示依据本发明的再一实施例的半导体封装件的剖面图。
图2B绘示依据本发明的再另一实施例的半导体封装件的剖面图。
主要组件符号说明:
10、20:半导体封装件
100、600:基板
110a:基板侧面
120、620:上表面
130、630:下表面
200、700:导电件
200b、700b:贯孔
200c、700c:盲孔
210a:导电件侧面
210b、710b:导电件底面
210c、710c:导电件顶面
220b、220c:导电层
310、330、810、830:半导体组件
320、820:被动组件
331:焊线
400、900:封装件
410、910:外表面
410a:封装体侧面
500、1000:金属层
510、1010:防电磁干扰金属层
520、1020:防锈金属层
530、1030:内层金属层
610:周边表面
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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