[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有沟道区的衬底，所述衬底包括硅衬底和位于所述硅衬底上的硅锗层；

位于所述沟道区之上的栅极结构，所述栅极结构包括栅介电层和栅电极， 所述硅锗层位于所述栅极结构和所述硅衬底之间，且上下分别与所述栅极结构和 所述硅衬底接触；

形成于所述栅极结构两侧的侧墙；

形成于衬底中，位于所述沟道区两侧的源/漏区，所述源/漏区包括轻掺杂源 /漏区和重掺杂源/漏区；

所述硅锗层内，从与所述硅衬底相邻的面到与所述栅极结构相邻的面间， 其锗的组分百分比从高到低依次递减。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗层内锗的组分 百分比的最高值的范围为5％至100％。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗层内锗的组分 百分比的最低值为0％。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述硅锗层的厚度为10 埃～1000埃。

5.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成硅锗层，所述硅衬底和其上形成的硅 锗层共同组成衬底；

在所述硅锗层上形成栅极结构，所述栅极结构由下而上包括栅介电层与栅 电极；

在所述栅极结构两侧的衬底上注入低浓度杂质离子，在所述栅极结构两侧 的衬底的表面中形成轻掺杂源/漏区；

在所述衬底上，所述栅极结构的两侧形成侧墙；

在所述侧墙两侧的所述衬底上注入高浓度杂质离子，形成重掺杂源/漏区， 从而形成包含有轻掺杂源/漏区和重掺杂源/漏区的源/漏区；

其中，所述硅锗层内，从与所述硅衬底相邻的面到与所述栅极结构相邻的 面间，其锗的组分百分比从高到低依次递减。

6.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述硅锗层内 锗的组分百分比的最高值的范围为5％至100％。

7.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述硅锗层内 锗的组分百分比的最低值为0％。

8.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述硅锗层的 厚度为10埃～1000埃。

9.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，形成所述硅锗 层时采用外延工艺、超高真空化学气相沉积工艺、常压化学气相沉积工艺或减 压化学气相沉积工艺其中之一实现。

10.如权利要求9所述的半导体器件制造方法，其特征在于，采用外延工 艺实现时，在压力为10至15千帕，温度为600～950℃的条件下进行；硅源前驱 气体为硅烷(SiH₄)、二氯硅烷(SiH₂Cl₂，简称DCS)和三氯硅烷(SiHCl₃，简称 TCS)；锗源前驱气体为GeH₄，其气体流量在淀积过程中逐渐变小；载气为氢 气。