[发明专利]IZAO透明导电膜的制造方法无效
| 申请号： | 201019164051.7 | 申请日： | 2010-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102140623A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿斌 | 申请（专利权）人： | 深圳市海森应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人： | 陈鸿荫;郭文姬 |
| 地址： | 518108 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | izao 透明 导电 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：采用双阴极直流磁控同时溅射In2O3靶和ZAO靶，形成锌铝掺杂的IZAO膜；所述ZAO靶是在ZnO中掺杂Al2O3形成的陶瓷靶材，其中ZAO靶中Al2O3掺杂的重量比是2-4％，在双阴极靶溅射时，改变In2O3靶和ZAO靶的直流输入功率以改变IZAO膜的ZAO掺杂比例。
2.根据权利要求1所述的IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：所述ZAO靶中Al2O3掺杂的重量比是3％。
3.根据权利要求1所述的IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：In2O3靶和ZAO靶的直流输入功率比为10∶4时，得到In2O3和ZAO在IZAO膜中的重量比为10∶3，此时IZAO膜的电阻率最低。
4.根据权利要求1所述的IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：所述IZAO膜的成膜温度为20℃-300℃。
5.根据权利要求1所述的IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：溅射压强为0.2Pa-0.5Pa。
6.根据权利要求5所述的IZAO透明导电膜的制造方法，其特征在于：溅射压强优选为氩压强条件下0.35Pa。
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