[发明专利]IZAO透明导电膜的制造方法

说明书

技术领域 本发明涉及一种透明导电膜的制造方法，特别是涉及IZAO(铟锌铝氧化物)透明导电膜的制造方法。

背景技术 众所周知，ITO氧化铟锡透明导电膜以其优良的光电性能广泛地用于信息显示领域，但也存在一些问题。一是室温或低温成膜电阻率与高温成膜电阻率相差很大；二是高温成膜是结晶态，结晶晶届会引起光散射，也影响膜表面平滑度，对液晶显示和有机发光显示OLED不利；三是蓝光波段透过率偏低，对某些应用、特别是对太阳能电池光电转换效率有不利影响。

发明内容 本发明要解决的技术问题是：针对现有ITO透明导电膜的不足，提供一种IZAO透明导电膜的制造方法，通过掺杂，解决高低温成膜电阻率相差太大的问题；在结构上形成非晶态，改善膜表面平滑度，减小由于结晶晶界引起的光散射；并且展宽光学能隙宽度，改善蓝光波段的透过率。

本发明解决所述技术问题可以通过采用以下技术方案来实现：

本发明的技术解决方案是：采用双阴极直流磁控同时溅射In₂O₃靶和ZAO靶，形成锌铝掺杂的IZAO膜；所述ZAO靶是在ZnO中掺杂Al₂O₃形成的陶瓷靶材，其中ZAO靶中Al₂O₃掺杂的重量比是2-4％，在双阴极靶溅射时，改变In₂O₃靶和ZAO靶的直流输入功率以改变IZAO膜的ZAO掺杂比例。

利用常规的直流磁控溅射技术，将三氧化二铟In₂O₃靶和锌铝氧化物ZAO靶做成两个小阴极(即双阴极)同时溅射，对In₂O₃掺杂形成铟锌铝氧化物IZAO膜。具体做法是一个阴极安装In₂O₃靶，另一个阴极安装ZAO靶，它们是紧密相邻的两个小阴极靶；当分别施加直流电源后，In₂O₃靶和ZAO靶会同时溅射出In₂O₃和ZAO原子团或分子团，沉积在基材上形成ZAO掺杂的IZAO膜。掺AL₂O₃的目的是展宽光学能隙，同时也是为了使ZAO靶成为导电性氧化物，以便于直流溅射。

所述IZAO透明导电膜的制造方法，所述IZAO透明导电膜掺杂的重量比优选3％。

所述IZAO透明导电膜的制造方法，In₂O₃靶和ZAO靶的直流输入功率比为10∶4时，得到In₂O₃和ZAO在IZAO膜中的重量比为10∶3，此时IZAO膜的电阻率最低。

同现有技术相比较，本发明的技术效果在于：解决高低温成膜电阻率相差大的问题，通过使用本发明方法制成的IZAO透明导电膜是非晶结构，改善了导电膜表面平滑度，减小了由于结晶晶界引起的光散射，展宽了光学能隙，改善了蓝光波段的透过率。

附图说明

图1是本发明采用的双阴极溅射靶示意图。

1-直流磁控溅射阴极                2-In₂O₃直流磁控溅射溅射靶

3-ZAO直流磁控溅射靶               4-直流磁控溅射阴极

5-ZAO靶直流电源输入               6-In₂O₃靶直流电源输入

7-永磁体                          8-磁体极靴

9-屏蔽板

具体实施方式 以下结合附图所示之优选实施例作进一步详述。

参看图1，本实施例采用双阴极即直流磁控溅射阴极1、4，在双阴极1、4上安装In₂O₃靶2和ZAO靶3，由ZAO靶直流电源输入5和In₂O₃靶直流电源输入6分别给In₂O₃靶2和ZAO靶3引入直流电源功率。