[实用新型]三氯氢硅合成炉供气结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种化学合成炉供气结构，具体地讲，是一种用于合成三氯氢硅的合成炉供气结构。

背景技术

三氯氢硅是一种合成化工原料，它由合成炉内弥散的硅粉与氯化氢气在设定温度条件下化合而成。合成炉结构对三氯氢硅合成效率有着很大的影响，特别是供气结构的影响最大。工程中常规合成炉的结构是立式结构，供气结构位于底部，氯化氢气通过密排的喷嘴从下向上直线喷入到反应段内。现有技术采用直喷气供气结构，该结构相对比较简单，能够有效供气，但所供气呈层流输入，供气均匀性不够理想，在炉内反应段易形成供气盲区或弱区。显然，此区域内因供气不均而合成不足，直接降低了合成炉的合成效率，降低了产品品质。

实用新型内容

本实用新型主要针对现有技术的不足，提出一种结构简单、供气均匀、合成效率高的三氯氢硅合成炉供气结构。

本实用新型通过下述技术方案实现技术目标。

三氯氢硅合成炉供气结构，它包括反应段、供气室及其相配合处平置的气体分布板。板状的气体分布板板面上均布轴向通孔，朝反应段一侧的通孔为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴。其改进之处在于：内空结构的喷嘴上端为盲端，底端敞口与气体分布板上的通孔相通，喷嘴腰部壁上对称设有出气口。

上述结构中，喷嘴腰部壁上的出气口为斜孔，出气口轴线与喷嘴轴线相交的夹角为40°～50°。

本实用新型与现有技术相比，具有以下积极效果：

1、在喷嘴壁上设置朝下的出气口，结构简单、易制造；

2、喷嘴壁上朝下斜置的出气口，构成反射式喷气结构，反复折射有利于氯化氢气均匀散开，增加与弥散的硅粉合成反应机会，提高合成效率。

附图说明

图1是本实用新型结构剖面示意图。

图2是喷嘴与气体分布板相配合的I局部放大示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

图1所示的三氯氢硅合成炉供气结构，它包括位于上部的反应段1、下部的供气室4及其相配合处平置的气体分布板3。板状的气体分布板3板面上均布轴向通孔3.1，面朝反应段1一侧的通孔3.1为螺孔，每只螺孔都配装喷嘴2。所述的喷嘴2为内空结构，其朝上的顶端为盲端，底端敞口与气体分布板3的通孔3.1相通，喷嘴2腰部壁上对称设有斜置的出气口2.1，本实施例中，出气口2.1轴线与喷嘴2轴线相交的夹角为45°。从合成炉外输入的氯化氢气从气体分布板3中的通孔3.1进入喷嘴2，再顺着喷嘴2腰部壁上斜置的出气口2.1喷向气体分布板3的上表面，斜喷出的氯化氢气在反应段1内易形成90°角的反复折射。氯化氢气在反应段1内反复折射进一步增加与弥散的硅粉合成反应机会，可显著提高合成效率。

本实用新型中，喷嘴2壁上的出气口2.1轴线与喷嘴2轴线相交的夹角，设成40°或50°都具有较大的反射角，其实施效果与上例相似，仅合成效率略低于45°夹角。