[实用新型]高功率发光二极管封装基板无效

专利信息
申请号: 201020112522.8 申请日: 2010-02-05
公开(公告)号: CN201638844U 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 林宸纬;廖嘉佑 申请(专利权)人: 翔昇电子股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/54
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 功率 发光二极管 封装
【权利要求书】:

1.一种高功率发光二极管封装基板,所述封装基板具有导热基板,而所述导热基板表面设置有电路层,其特征在于:

所述导热基板表面连接有高功率的发光二极管晶片,且所述发光二极管晶片与所述电路层呈电气连接,并在所述导热基板表面填充出包覆所述发光二极管晶片以及所述发光二极管晶片与所述电路层电气连接处的封装层。

2.如权利要求1所述的高功率发光二极管封装基板,其特征在于,所述发光二极管晶片与所述电路层通过导线电气连接。

3.如权利要求1所述的高功率发光二极管封装基板,其特征在于,所述发光二极管晶片与所述散热基板之间设置有以焊料形成的焊接层。

4.如权利要求1所述的高功率发光二极管封装基板,其特征在于,所述电路层表面覆盖有绝缘层,且所述绝缘层设置有使所述电路层露出的透孔。

5.如权利要求1所述的高功率发光二极管封装基板,其特征在于,所述导热基板表面与所述发光二极管晶片之间设置有导热层。

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