[实用新型]一种功率器件键合时用的上压板有效
申请号: | 201020119107.5 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN201608169U | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 颜文;刘卫光;李西萍 | 申请(专利权)人: | 深圳市贵鸿达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张学群 |
地址: | 518028 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 器件 合时 压板 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体分立器件封装设备,特别是涉及一种功率器件键合时需用到的上压板的结构。
背景技术
半导体分立器件的封装包括键合工序,键合是指用金线(或铜线)以超声波焊接的方式将功率器件芯片的B、E两极与引线框架的两个管脚连接,键合时,连成一排的多个引线框架300紧固在上压板100与下压板200之间进行键合。现有技术中,上压板和下压板分别是一个整体,上压板100的结构包括板体10,板体的两侧是高出板体的固定部50,用来与键合设备连接,在板体的中部设有一个方形的大通孔20,键合时,引线框架的管脚301和载片区302及其上的芯片从这个大通孔20露出以便对其进行超声波焊接,板体10上于所述大通孔20的一侧边向孔内伸出一排多个与引线框架管脚301对应的紧固片30,用来压住管脚301,防止其弹动,使焊接牢固。这些紧固片30与板体一体成型,为固定式,无法调节。当引线框架之间存在差异,或上、下压板在长时间加热使用中的变形,则容易发生上、下压板不能将每一个引线框架完全压牢,这样,在键合过程中就会有部分管脚弹动,出现管脚键合虚焊现象,导致键合可靠性不高,生产中经常会出现停机补线的情况,降低生产效率。
另外,为了增加引线框架管脚超声波焊接的可焊性,在键合时,引线框架通常需被加热到180℃~300℃,这容易引起引线框架的氧化,为了防止其氧化,预先将引线框架镀银,分为全镀银、半镀银方式,载片区被镀银后在高温下不易氧化,所以无需对引线框架实施气体保护,但镀银面积较大造成价格较高。为了节约原料成本,有采用点镀银的引线框架,即只在管脚的键合位置镀银,这样,载片区容易氧化,因此考虑施加N2和H2混合气体保护。当键合设备上装载引线框架的导轨为封闭式,导轨内具有可实施N2和H2混合气体保护的结构,而当键合设备上装载引线框架的导轨为开方式导轨,则无实施N2和H2混合气体保护的结构,而现有的上压板也没有用于气体保护结构。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种键合时可将每一个引线框架分别压牢、防止管脚弹动的上压板结构。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种功率器件键合时用的上压板,包括上压板的板体,所述板体上设有供引线框架管脚和载片区露出的大通孔,一排多个用来压住引线框架管脚的紧固片自板体上大通孔的一侧边向通孔内伸出,其特征在于,每个紧固片为可单独调节的弹片。
所述紧固片贴在板体下表面,其包括一体的连接部和调节压片,所述连接部可拆卸地连接于板体,所述调节压片的外端头伸入大通孔用来压住引线框架管脚,自所述板体上表面向下穿设有多个与调节压片一一对应的调节螺钉,每个调节螺钉的末端可碰触到一个调节压片。
每个紧固片上有可压在同一个引线框架两侧管脚上的两个调节压片。
所述紧固片上调节压片所在的中间位置被冲切形成开口,所述连接部和两个调节压片形成“Y”状。
所述紧固片的外端通过紧固螺钉与板体连接;所述紧固片为有弹性的硅钢材料制成。
本实用新型进一步要解决的技术问题是提供具有吹气通道、可方便地对点镀银的引线框架载片区进行吹气保护、防止载片区氧化的上压板结构。为解决这个技术问题,提供了所述板体上设有可外接气源的气嘴,板体内还设有与气嘴连通的主气流通道,在所述大通孔一侧边的板体上,于紧固片的对面,设有与主气流通道相通、可向紧固片方向吹气的多个吹气口。
所述气嘴为两个,设在板体上与紧固片相对的一侧,且分别位于板体的两端。
所述主气流通道设在与气嘴同侧的板体内,为沿着板体长度方向的横向主气流通道。
所述吹气口与调节压片一一对应。
所述吹气口气流通道外高内低、向紧固片倾斜45度角。
本实用新型的有益效果在于:由于本实用新型的上压板上设置的每一个紧固片是独立可调的,每个管脚对应一个调节压片,可以单独调整压紧程度,所以可确保每个管脚都被压紧,加上弹片材料是有弹性的硅钢材料,即使各个引线框架稍有差异或者上、下压板略有变形,也能保证每个管脚是被压紧的,从而防止因管脚弹动造成的键合虚焊、键合不可靠、不稳定等问题。另外,上压板内设有气道,可外接N2、H2混合气体等保护气体,并直接通到引线框架的载片区,可充分保护点镀银引线框架的载片区不被氧化。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步详细说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造