[实用新型]具有应力隔离的MEMS惯性传感器封装结构有效

专利信息
申请号: 201020124304.6 申请日: 2010-03-05
公开(公告)号: CN201598171U 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 施芹;裘安萍;苏岩 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;G01C19/00;G01P15/08
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 唐代盛
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 应力 隔离 mems 惯性 传感器 封装 结构
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于微电子系统技术,特别是一种具有应力隔离的MEMS惯性传感器封装结构。

背景技术

MEMS(Micro-electro-mechanical Systems,简称MEMS)惯性传感器,如MEMS陀螺仪、MEMS加速度计体积小,成本低、易于批量生产等特点,在军民两方面都具有广泛的应用前景。在实际应用过程中,MEMS惯性传感器需要进行气密性封装,以避免外部环境的干扰和破坏,有时MEMS惯性传感器甚至需要真空封装,以提高MEMS惯性传感器性能,如MEMS陀螺仪和MEMS谐振式加速度计。MEMS惯性传感器封装的常用方法是将传感器直接与封装管壳连接,则封装材料的热膨胀系数与MEMS惯性传感器芯片的热膨胀系数不匹配时,在封装过程中或工作环境温度变化时,会产生较大的热应力。热应力会影响MEMS惯性传感器频率的稳定性,从而降低了传感器的性能。因此,对于MEMS惯性传感器而言,封装不仅要保证封装的气密性、真空度等,还必须降低封装应力。

2009年,施芹等(施芹,丁荣峥,苏岩等.硅微陀螺仪器件级真空封装.机械工程学报,2009.2)提出了一种用于硅微陀螺仪的器件级真空封装技术,该技术通过粘接剂将陀螺芯片固定在陶瓷管壳衬底上。在封装过程中要进行高温烘烤、封帽等一系列热循环,由于硅材料的热膨胀系数为2.5ppm/℃,玻璃衬底的热膨胀系数为3.3ppm/℃,而氧化铝制的陶瓷管壳的热膨胀系数为6.7ppm/℃,封装材料与陀螺芯片的热膨胀系数差别较大,在封装过程中会产生较大的热应力,从而影响陀螺的性能。氮化铝的热膨胀系数为4.0ppm/℃,与陀螺芯片的热膨胀系数较为接近,但采用氮化铝制成的陶瓷管壳成本将大大增加,约为氧化铝管壳的8倍。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有应力隔离、结构简单、可批量生产、成本低MEMS惯性传感器封装结构。

实现本实用新型目的的技术解决方案为:一种具有应力隔离的MEMS惯性传感器封装结构,包括封装管壳、盖板、MEMS惯性传感器和粘接剂,将MEMS惯性传感器通过粘接剂安装在应力隔离层上,该应力隔离层通过粘接剂安装封装管壳上。

本实用新型与现有技术相比,其显著优点:(1)应力隔离层的材料与MEMS惯性传感器的衬底材料相同,可以大大减小封装应力以及工作环境温度变化产生的热应力对MEMS惯性传感器的影响;(2)应力隔离层可减小外界机械应力对MEMS惯性传感器的影响;(3)封装管壳材料不受限制,可以是氧化铝或金属;(4)应力隔离层采用微电子工艺加工,可实现批量生产,结构简单,加工工艺步骤少,成本低。

下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述。

附图说明

图1是本实用新型MEMS惯性传感器封装结构剖面图。

图2是本实用新型应力隔离层结构示意图。

具体实施方式

结合图1,本实用新型具有应力隔离的MEMS惯性传感器封装结构,包括封装管壳1、盖板2、MEMS惯性传感器3和粘接剂4,将MEMS惯性传感器3通过粘接剂4安装在应力隔离层5上,该应力隔离层5通过粘接剂4安装封装管壳1上。封装管壳1可以采用陶瓷或金属,外型为矩形或圆形。盖板2通过焊料环与管壳1连接。应力隔离层5采用的材料与MEMS惯性传感器3的衬底材料相同,,如惯性传感器采用硅玻键合工艺加工时则隔离结构材料为玻璃,而惯性传感器采用硅硅键合工艺加工时则隔离结构材料为硅,这样大大降低了热应力,同时可减小外界机械应力对MEMS惯性传感器的影响。应力隔离层5采用微电子工艺加工,可实现批量生产,将连接柱6a、6b、6c、6d和平板7加工为一体。应力隔离层5与管壳1的连接以及MEMS惯性传感器3与隔离结构的连接皆采用传统的IC封装工艺,技术成熟,成本低。

结合图2(a)、图2(b),应力隔离层5由连接柱6a、6b、6c、6d和平板7组成,连接柱6a、6b、6c、6d底部通过底部粘接剂4b与管壳1连接,MEMS惯性传感器3通过顶部粘接剂4a安装在平板7上。连接柱的个数依需要而定,可以是两个、三个、四个等。粘接剂4由顶部粘接剂4a和底部粘接剂4b组成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京理工大学,未经南京理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201020124304.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top