[实用新型]陶瓷电容改良无效
| 申请号： | 201020133389.4 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN201689785U | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 邱瑞宝;王明传 | 申请（专利权）人： | 陈妍臻;邱瑞宝 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005;H01G4/12;H01G4/08 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发;艾晶 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电容 改良 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷电容改良，其特征在于，其主要设有一陶瓷体，该陶瓷体两相对表面设有至少一真空金属镀膜，且该真空金属镀膜并连接有接脚，且该真空金属镀膜厚度并小于1微米。
2.如权利要求1所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该陶瓷体与二真空金属镀膜之间设有一第一介质层。
3.如权利要求2所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该第一介质层为铬层。
4.如权利要求2所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该真空金属镀膜为铜层、铝层、金层、银层或其合金。
5.如权利要求1所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该接脚以焊料层与真空金属镀膜相连接。
6.如权利要求5所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该焊料层与真空金属镀膜之间进一步设有第二介质层。
7.如权利要求6所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该第二介质层为锡层。
8.如权利要求1所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该陶瓷电容外部由绝缘材料密封以构成封装层。
9.如权利要求1所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该真空金属镀膜布满陶瓷体的表面。
10.如权利要求1所述的陶瓷电容改良，其特征在于，该真空金属镀膜布满陶瓷体部分表面。
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