[实用新型]陶瓷电容改良

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种陶瓷电容改良，尤指一种可有效控制电气特性，降低不良率的陶瓷电容改良。

背景技术

按，陶瓷电容为一般电路常用的被动组件，根据其电气特性可分为：温度补偿用陶瓷电容、高介电常数陶瓷电容及半导体陶瓷电容等。就外观形状分类则有筒形与板形的分别，在板形陶瓷电容中又细分有：圆板形、角板形及接地形。本文中欲提出讨论的标的即前述“圆板形陶瓷电容”。

如图1所示，其揭露有圆板形陶瓷电容的基本构造，主要于一圆形的陶瓷片10的正反两面分别设有电极11，两电极11上分别焊接有接脚12，其外部则由绝缘材料密封以构成封装层13。其电容量由下列公式决定：

C＝ε×r²×1/k×1/T，其中ε＝陶瓷片的介电系数，r＝电极半径，k＝常数，T＝陶瓷片厚度(mm)。

由上述公式可知，电极11大小直接影响电容量，至于电极11实际外径D可经改写前述公式后换算取得：

D=r×2=2× kTC/ϵ]]>

由上述可知，圆板形陶瓷电容的电容量由陶瓷片10的介电系数及电极11的直径D、厚度T所决定。换言之，位于陶瓷片10两面上的电极11将决定陶瓷电容的电容值与相关电气特性。

而传统陶瓷电容的电极制造方法大致包括下列数种：

一、笔涂式：此种笔涂式电极制法由烧窑业的金属彩绘技术发展而来，最早期的陶瓷电容器电极即利用此法制成，主要由人工以小毛笔或水彩笔沾上银胶在瓷片的表面画圆，其圆径大小则根据所须的电容值决定，由于以人工手绘方式涂布，其精确度奇差，只能用于制作允许大误差的电容器，目前除实验室的实验用途外，已鲜少利用此法制造电容。

二、海棉滴压式：由前述笔涂式演进而来，在作业速度上已有显著增进，在涂绘圆形电极方面亦较方便，惟因仍以人工方式作业，成本高售价低，故除实验室外已少有利用。

三、点胶式：由于自动化机械的问世，前述涂布银胶的工作可藉助点胶机的自动点胶功能进行，此种制法的优点在于大幅节省人工，但用于制作小型品时，则难度骤升，尤其在直径5mm以下，点胶机滴流困难。

四、喷雾式：早期小型SC半导体及积层chip电容未开发问世前，需要如104PF的大容量陶瓷电容时，为配合在直径16mm，厚0.15mm而加工易碎的瓷片上制作电极所发展出来，目前在陶瓷界已鲜少使用。

实用新型内容

本实用新型所解决的技术问题在于提供一种可有效控制电气特性，降低不良率的陶瓷电容改良。

本实用新型的技术方案为：一种陶瓷电容改良，其主要设有一陶瓷体，该陶瓷体两相对表面设有至少一真空金属镀膜，且该真空金属镀膜并连接有接脚，且该真空金属镀膜厚度并小于1微米。

其中，该陶瓷体与二真空金属镀膜之间设有一第一介质层。

该第一介质层为铬层。

该真空金属镀膜为铜层、铝层、金层、银层或其合金。

该接脚以焊料层与真空金属镀膜相连接。

该焊料层与真空金属镀膜之间进一步设有第二介质层。

该第二介质层为锡层。

该陶瓷电容外部由绝缘材料密封以构成封装层。

该真空金属镀膜布满陶瓷体的表面。

该真空金属镀膜布满陶瓷体部分表面。

本实用新型的有益效果为：陶瓷电容主要设有一陶瓷体，该陶瓷体两相对表面设有至少一真空金属镀膜，且该真空金属镀膜并连接有接脚，藉由该真空金属镀膜的设置改良习有陶瓷电容结构，可有效控制电气特性，降低不良率。

附图说明

图1为习有圆板形陶瓷电容的结构立体图；

图2为本实用新型中陶瓷电容的第一实施例结构剖视图；

图3为本实用新型中陶瓷电容的第二实施例结构剖视图；

图4为本实用新型中真空金属镀膜的结构示意图；

图5为本实用新型中真空金属镀膜的另一结构示意图；

图6为本实用新型中真空金属镀膜的再一结构示意图。

【图号说明】

陶瓷片10        电极11